[发明专利]套刻精度修正方法

说明书

本发明提供一种套刻精度修正方法，包括：提供一形成有掩膜版图形和切割道形成区的掩膜版，并在所述切割道形成区中设置至少8对对准标记；利用曝光机台对所述掩膜版进行曝光；收集曝光区域内所有的对准标记数据；根据所述对准标记数据获取所述曝光区域内的套刻误差数据；根据所述套刻误差数据调整曝光机台的光刻参数以修正套刻精度。在所述切割道形成区中设置至少8对对准标记来获取曝光区域内的套刻误差数据以引入高阶数的修正量，可以在线性修正的基础上实现曝光区域内部的高阶修正，从而减小了套刻误差，提高了套刻精度。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种套刻精度修正方法。

背景技术

随着半导体器件尺寸的不断缩小，器件对套刻对准的要求更高，在目前的套刻精度修正中，对于需要进行离子注入或者刻蚀的介质层来说，在曝光区域内，掩膜版和介质层上对应只有一对对准标记，由所述对准标记得到的修正只能是线性修正，对曝光区域内部更小的单元无法修正，曝光机台的普通的线性修正不能够很好地修正实际网格与理想网格的误差。

目前本领域通常的做法是依靠套刻误差测量的结果来修正曝光区域内部，将补偿数据反馈给光刻机的曝光系统，曝光系统将修正后的数据应用于待离子注入或者待刻蚀的介质层。28纳米低功率的逻辑器件中有18-20层的介质层在光刻工艺后需要离子注入或者刻蚀，每层介质层上先旋涂一光刻胶层，然后利用曝光系统量测光刻胶层上的套刻误差全局数据，接着将所述套刻误差全局数据反馈给光刻机以实现手动修正，这样的套刻精度修正方法比较繁琐且容易出现失误。此外，不同的光刻机的对准性能并不完全一样，需为掩膜版的各种组合提供相应的修正，同时光刻机工作平台的维护、光学系统维修可能会对误差修正产生影响从而导致需要重新收值修正。

因此需要一种新的套刻精度修正方法来实现高精度的修正，减小套刻误差。

发明内容

本发明的目的在于提供一种套刻精度修正方法，以解决光刻时套刻误差过大的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种套刻精度修正方法，包括：

提供一掩膜版，所述掩膜版上形成有掩膜版图形和切割道形成区；

在所述切割道形成区中设置至少8对对准标记；

利用曝光机台对所述掩膜版进行曝光；

收集曝光区域内的每对对准标记数据；

根据所述对准标记数据获取所述曝光区域内的套刻误差数据；

根据所述套刻误差数据调整曝光机台的光刻参数以修正套刻精度。

可选的，在所述套刻精度修正方法中，所述掩膜版图形的数量大于或者等于1个。

可选的，在所述套刻精度修正方法中，所述切割道形成区分布在所述掩膜版图形的四周。

可选的，在所述套刻精度修正方法中，所述掩膜版图形的数量为多个，多个所述掩膜版图形按点阵式分布，相邻的所述掩膜版图形共享所述掩膜版图形之间的所述切割道形成区中的所述对准标记。

可选的，在所述套刻精度修正方法中，在所述掩膜版上的所述切割道形成区中设置8对对准标记以实现套刻精度的二阶修正。

可选的，在所述套刻精度修正方法中，在所述掩膜版上的所述切割道形成区中设置10对对准标记以实现套刻精度的三阶修正。

可选的，在所述套刻精度修正方法中，每对所述对准标记包括：第一方向对准标记及第二方向对准标记，所述第一方向与所述第二方向相垂直。

可选的，在所述套刻精度修正方法中，根据所述对准标记数据获取所述曝光区域内的套刻误差数据之后，所述套刻精度修正方法还包括：利用所述曝光机台记录并存储所述套刻误差数据使得所述套刻误差数据能够修正相同产品的套刻精度。