[发明专利]套刻精度修正方法

权利要求书

1.一种套刻精度修正方法，其特征在于，包括：

提供一掩膜版，所述掩膜版上形成有掩膜版图形和切割道形成区；

在所述切割道形成区中设置至少8对对准标记；

利用曝光机台对所述掩膜版进行曝光；

收集曝光区域内的每对对准标记数据；

根据所述对准标记数据获取所述曝光区域内的套刻误差数据，利用所述曝光机台记录并存储所述套刻误差数据使得所述套刻误差数据能够修正相同产品的套刻精度；

根据所述套刻误差数据调整曝光机台的光刻参数以修正套刻精度。

2.根据权利要求1所述的套刻精度修正方法，其特征在于，所述掩膜版图形的数量大于或者等于1个。

3.根据权利要求2所述的套刻精度修正方法，其特征在于，所述切割道形成区分布在所述掩膜版图形的四周。

4.根据权利要求3所述的套刻精度修正方法，其特征在于，所述掩膜版图形的数量为多个，多个所述掩膜版图形按点阵式分布，相邻的所述掩膜版图形共享所述掩膜版图形之间的所述切割道形成区中的所述对准标记。

5.根据权利要求3所述的套刻精度修正方法，其特征在于，在所述掩膜版上的所述切割道形成区中设置8对对准标记以实现套刻精度的二阶修正。

6.根据权利要求3所述的套刻精度修正方法，其特征在于，在所述掩膜版上的所述切割道形成区中设置10对对准标记以实现套刻精度的三阶修正。

7.根据权利要求5或6所述的套刻精度修正方法，其特征在于，每对所述对准标记包括：第一方向对准标记及第二方向对准标记，所述第一方向与所述第二方向相垂直。

8.根据权利要求1所述的套刻精度修正方法，其特征在于，采用深紫外光对所述掩膜版进行曝光。

9.根据权利要求1所述的套刻精度修正方法，其特征在于，利用曝光机台对所述掩膜版进行曝光之前，所述套刻精度修正方法还包括：

在一衬底表面形成一光刻胶层。

10.根据权利要求9所述的套刻精度修正方法，其特征在于，利用曝光机台对所述掩膜版进行曝光使得所述掩膜版图形转印至曝光区域的所述光刻胶层上，以得到图案化的光刻胶层。

11.根据权利要求10所述的套刻精度修正方法，其特征在于，在根据所述套刻误差数据调整曝光机台的光刻参数以修正套刻精度之后，所述套刻精度修正方法还包括：

利用所述图案化的光刻胶层作为掩膜，对所述衬底进行离子注入。

12.根据权利要求10所述的套刻精度修正方法，其特征在于，在根据所述套刻误差数据调整曝光机台的光刻参数以修正套刻精度之后，所述套刻精度修正方法还包括：

利用所述图案化的光刻胶层作为掩膜，对所述衬底进行刻蚀以将所述掩膜版图形转移至所述衬底上。