[发明专利]一种UV LED封装工艺

权利要求书

1.一种UV LED封装工艺，包括如下步骤：

S10,将金属杯通过电镀铜的方式一层叠一层电镀成型到陶瓷板；

S11，在基板上点涂或刷涂结合剂；

S12，在芯片电路上贴置芯片；

S13,将结合剂加热，使芯片电路与基板贴合，并将芯片电路的电极与基板的电路连接；

S14,点注密封剂使基板和光学镜头连接；

S15,将基板和金属杯和光学透镜组合的腔体抽真空或者注入惰性气体；

S16，在S15步骤同时，80-100℃加热密封剂10-15分钟，使基板、金属杯和光学镜头固定一体形成UV LED封装体；

S17,将UV LED半成品移至150-170度的烘箱中烘烤1-2小时，进行最终完全密封成型。

2.如权利要求1所述的一种UV LED封装工艺，其特征在于：所述基板为陶瓷基板或金属基板。

3.如权利要求1所述的一种UV LED封装工艺，其特征在于：所述LED密封剂包括如下组分：聚氨酯丙烯酸酯，环氧树脂丙烯酸酯，活性稀释剂，光引发剂，纳米金属粉末。

4.如权利要求3所述的一种UV LED封装工艺，其特征在于，各组分以及各组分重量百分比含量为：

聚氨酯丙烯酸酯10-15％

环氧树脂丙烯酸酯65-80％

活性稀释剂2-8％

光引发剂1-2％

纳米金属粉末1-4％。

5.如权利要求4所述的一种UV LED封装工艺，其特征在于：所述纳米金属粉末为纳米铜粉、纳米银粉、纳米铝粉、纳米镍粉中的一种或几种。

6.如权利要求1所述的一种UV LED封装工艺，其特征在于：所述惰性气体为氮气、氩气或者氖气。

7.如权利要求1所述的一种UV LED封装工艺，其特征在于：所述在所述基板上形成密封剂层步骤还包括：对所述密封剂层进行打磨处理，露出所述电极凸点。

8.如权利要求7所述的一种UV LED封装工艺，其特征在于：所述密封剂中掺有高导热材料和/或光阻材料。

9.一种如权利要求1-8任一项所述的UV LED芯片的封装方法所制备的UVLED封装结构。