[发明专利]集成电路在审

申请号：	201910814741.6	申请日：	2019-08-30
公开（公告）号：	CN110875312A	公开（公告）日：	2020-03-10
发明（设计）人：	卢麒友;江庭玮;庄惠中;苏品岱;高章瑞;苏郁迪;马伟翔;黄俊嘉	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L27/092	分类号：	H01L27/092;H01L27/02;H01L21/8238
代理公司：	北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006	代理人：	徐金国
地址：	中国台湾新竹市***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	集成电路
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【说明书】：

一种集成电路包括第一类型一晶体管、第二类型一晶体管、第三类型一晶体管、及第四类型一晶体管。第一类型一晶体管及第三类型一晶体管是在类型一主动区域的第一部分中。集成电路包括在类型二主动区域的第一部分中的第一类型二晶体管。第一类型一晶体管具有栅极，此栅极设置为具有第一电源的第一电源电压。第一类型二晶体管具有栅极，此栅极设置为具有第一电源的第二电源电压。第三类型一晶体管具有栅极，此栅极设置为具有第二电源的第一电源电压。第三类型一晶体管具有与第一类型一晶体管的主动区域导电地连接的第一主动区域。

技术领域

本揭露是关于一种集成电路设计。

背景技术

将集成电路(intergrated circuit,IC)微型化的近期趋势，可以达到消耗更少电力并以较高的速度提供更多功能性。微型化制程亦导致对集成电路的布局设计的更严格限制。在集成电路的布局设计期间，功能单元或实体单元通常被放置在电路布局中，并且经布线以形成功能电路。功能电路包括具有通道区域的晶体管以及在主动区域中形成的主动区域。一些功能电路在不同电源域中实施。

发明内容

一种电源域间的隔离集成电路，包含类型一主动区域、类型二主动区域、第一类型一晶体管、第二类型一晶体管、第一类型二晶体管、第二类型二晶体管、第三类型一晶体管以及第四类型一晶体管。类型一主动区域及类型二主动区域形成两个平行主动区域，两个平行主动区域均在一第一方向上延伸。第一类型一晶体管在类型一主动区域的一第一部分中并且具有一栅极，第一类型一晶体管中的栅极设置为具有一第一电源的一第一电源电压。第二类型一晶体管在类型一主动区域的一第二部分中并且具有一半导体通道，半导体通道设置在一不导电状态。第一类型二晶体管在类型二主动区域的一第一部分中并且具有一栅极，第一类型二晶体管中的栅极设置为具有该第一电源的一第二电源电压。第二类型二晶体管在类型二主动区域的一第二部分中并且具有一半导体通道，半导体通道设置在一不导电状态。第三类型一晶体管在类型一主动区域的第一部分中并且具有一栅极，第三类型一晶体管中的栅极设置为具有一第二电源的第一电源电压，其中第三类型一晶体管具有一第一主动区域，第一主动区域与第一类型一晶体管的一主动区域导电地连接。第四类型一晶体管在该类型一主动区域的第二部分中并且具有一栅极，第四类型一晶体管中的栅极设置为具有第二电源的该第一电源电压，其中第四类型一晶体管具有一第一主动区域，第一主动区域与第二类型一晶体管的一主动区域导电地连接。

附图说明

当结合随附附图阅读时，自以下详细描述将很好地理解本揭示的态样。应注意，根据工业中的标准实务，各个特征并非按比例绘制。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增加或减小各个特征的尺寸。

图1A是根据一些实施例的在电源域之间具有隔离结构的跨域隔离电路的示意图；

图1B及图1C是根据一些实施例的图1A的跨域隔离电路的布局设计的示意图；

图2A是根据一些实施例的另一跨域隔离电路的示意图；

图2B及图2C是根据一些实施例的图2A的跨域隔离电路的布局设计的示意图；

图3A是根据一些实施例的另一跨域隔离电路的示意图；

图3B及图3C是根据一些实施例的图3A的跨域隔离电路的布局设计的示意图；

图4A是根据一些实施例的具有天线增强的跨域隔离电路的示意图；

图4B至图4D是根据一些实施例的图4A的跨域隔离电路的布局设计的示意图；

图5A是根据一些实施例的另一跨域隔离电路的示意图；

图5B至图5D是根据一些实施例的图5A的跨域隔离电路的布局设计的示意图；