[发明专利]集成电路在审
| 申请号： | 201910814741.6 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110875312A | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 卢麒友;江庭玮;庄惠中;苏品岱;高章瑞;苏郁迪;马伟翔;黄俊嘉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L27/02;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 | ||
1.一种集成电路，其特征在于，包含：
一类型一主动区域及一类型二主动区域，该类型一主动区域及该类型二主动区域形成两个平行主动区域，该两个平行主动区域均在一第一方向上延伸；
一第一类型一晶体管，该第一类型一晶体管在该类型一主动区域的一第一部分中并且具有一栅极，该第一类型一晶体管中的该栅极设置为具有一第一电源的一第一电源电压；
一第二类型一晶体管，该第二类型一晶体管在该类型一主动区域的一第二部分中并且具有一半导体通道，该半导体通道设置在一不导电状态；
一第一类型二晶体管，该第一类型二晶体管在该类型二主动区域的一第一部分中并且具有一栅极，该第一类型二晶体管中的该栅极设置为具有该第一电源的一第二电源电压；
一第二类型二晶体管，该第二类型二晶体管在该类型二主动区域的一第二部分中并且具有一半导体通道，该半导体通道设置在一不导电状态；
一第三类型一晶体管，该第三类型一晶体管在该类型一主动区域的该第一部分中并且具有一栅极，该第三类型一晶体管中的该栅极设置为具有一第二电源的第一电源电压，其中该第三类型一晶体管具有一第一主动区域，该第一主动区域与该第一类型一晶体管的一主动区域导电地连接；以及
一第四类型一晶体管，该第四类型一晶体管在该类型一主动区域的该第二部分中并且具有一栅极，该第四类型一晶体管中的该栅极设置为具有该第二电源的该第一电源电压，其中该第四类型一晶体管具有一第一主动区域，该第一主动区域与该第二类型一晶体管的一主动区域导电地连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
