[发明专利]半导体存储器的形成方法

权利要求书

1.一种半导体存储器的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一基底；

形成第一刻蚀图形于基底表面，所述第一刻蚀图形包括第一掩膜层、位于所述第一掩膜层表面的第二掩膜层、以及沿第一方向延伸并贯穿所述第一掩膜层和所述第二掩膜层的第一沟槽；

回填所述第一沟槽；

去除所述第二掩膜层，形成第一掩膜结构；

形成第二刻蚀图形于所述第一掩膜结构表面，所述第二刻蚀图形包括第三掩膜层、位于所述第三掩膜层表面的第四掩膜层、以及沿第二方向延伸并贯穿所述第三掩膜层和所述第四掩膜层的第二沟槽，所述第一方向与所述第二方向相交；

回填所述第二沟槽；

去除所述第四掩膜层，形成第二掩膜结构；

以所述第一掩膜结构和所述第二掩膜结构共同作为掩膜图形刻蚀所述基底，形成多个孔径相同的电容孔。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器的形成方法，其特征在于，所述基底表面具有电容掩膜层；形成所述第一刻蚀图形于基底表面的具体步骤包括：依次沉积所述第一掩膜层和所述第二掩膜层于所述电容掩膜层表面；

刻蚀所述第一掩膜层和所述第二掩膜层，形成沿第一方向延伸的第一沟槽；

形成覆盖于所述第一沟槽的侧壁表面的第一侧墙。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层为有机掩膜层，所述第二掩膜层为硬掩膜层。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器的形成方法，其特征在于，形成覆盖于所述第一沟槽的侧壁表面的第一侧墙的具体步骤包括：

形成覆盖所述第一沟槽的侧壁和底壁表面、以及所述第二掩膜层的顶面的第一介质层；

去除所述第一沟槽底壁表面和所述第二掩膜层顶面的所述第一介质层，残留于所述第一沟槽侧壁的所述第一介质层作为所述第一侧墙。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料为氧化物介质材料；去除所述第一沟槽底壁表面和所述第二掩膜层顶面的所述第一介质层的具体步骤包括：

采用含氟气体刻蚀所述第一沟槽底壁表面和所述第二掩膜层顶面的所述第一介质层。

6.根据权利要求2所述的半导体存储器的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜结构的具体步骤包括：

采用与所述第一掩膜层相同的材料回填所述第一刻蚀图形中的第一沟槽，形成覆盖所述第二掩膜层表面并填充满所述第一沟槽的第五掩膜层；

以所述第二掩膜层为刻蚀截止层，采用含氧气体刻蚀所述第五掩膜层，暴露所述第二掩膜层；

以所述第一掩膜层为刻蚀截止层，采用含氟气体刻蚀所述第二掩膜层，使得暴露的所述第一掩膜层的顶面与所述第五掩膜层的顶面平齐。

7.根据权利要求2所述的半导体存储器的形成方法，其特征在于，形成所述第二刻蚀图形的具体步骤包括：

在所述第一掩膜结构上沉积第六掩膜层；

在所述第六掩膜层上依次沉积所述第三掩膜层和所述第四掩膜；

刻蚀所述第三掩膜层和所述第四掩膜层，形成沿第二方向延伸的第二沟槽；

形成覆盖于所述第二沟槽的侧壁表面的第二侧墙。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器的形成方法，其特征在于，所述第三掩膜层为有机掩膜层，所述第四掩膜层为硬掩膜层，所述第六掩膜层为硬掩膜层。

9.根据权利要求7所述的半导体存储器的形成方法，其特征在于，形成覆盖于所述第二沟槽的侧壁表面的第二侧墙的具体步骤包括：

形成覆盖所述第二沟槽的侧壁和底壁表面、以及所述第四掩膜层的顶面的第二介质层；

去除所述第二沟槽底壁表面和所述第四掩膜层顶面的所述第二介质层，残留于所述第二沟槽侧壁的所述第二介质层作为所述第二侧墙。