[发明专利]阵列基板及显示装置有效
| 申请号: | 201910813497.1 | 申请日: | 2019-08-30 |
| 公开(公告)号: | CN110610948B | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
| 发明(设计)人: | 赵慧慧;何家庆 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
本发明提供了一种阵列基板及显示装置。所述阵列基板中包括衬底层、功能结构层、钝化层以及有机平坦层,所述功能结构层中具有有机填充层,所述钝化层设于所述有机填充层和所述有机平坦层之间。所述钝化层能提高有机填充层和有机平坦层之间的结合力,防止有机平坦层脱落,降低报废率,提高良品率。
技术领域
本发明涉及显示领域,特别是一种阵列基板及显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管),是一种新兴的平板显示技术。OLED显示技术与传统的LCD显示方式不同,其无需背光灯,采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板,当有电流通过时,这些有机材料就会发光。由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快,而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点,因而具有广阔的应用前景。
随着OLED技术的高速发展,市场对柔性可弯折的显示屏需求日益加剧。由于TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)基板中无机膜及金属膜层抗弯折能力较差,在产品内弯外弯时存在裂纹的情况,导致产品性能不佳。由于有机材料的杨氏模量小,柔韧性佳,基于此,出现了ODH(Organic Deep Hole Materia)技术,即在无机膜层中进行挖孔设计,孔内使用杨氏模量小的有机材料进行填充,有机层的存在大大增加了产品的抗弯性能。
在现有的TFT基板结构中中,会在ODH膜层上做一层金属膜,然后在金属膜层上面再覆盖一层有机材料作为平坦层(Planarization layer,PLN)。但是,由于ODH膜层因受源漏极的干燥程序的影响,表面会形成C-F键,偏向疏水,而PLN膜层湿膜偏向亲水,导致PLN膜层难以附着在ODH膜层上,从而导致出现PLN膜层脱落问题,该异常发生率高达100%,显示装置中出现该问题就只能报废处理,严重影响产品良率。
发明内容
本发明的目的是提供一种阵列基板及显示装置,以解决现有技术中有机填充膜层与平坦层之间附着力差,从而导致出现平坦膜层脱落,进而使显示装置报废率提高,良品率低等问题。
为实现上述目的,本发明提供一种阵列基板,所述阵列基板中包括衬底层、功能结构层、钝化层以及有机平坦层。
所述功能结构层设于所述衬底层上。在所述功能结构层中具有有机填充层,所述有机填充层的材料为有机物。所述钝化层设于所述功能结构层的所述有机填充层上。所述钝化层中具有亲水物质或基团和/或疏水物质或基团。在所述阵列基板中可以设置一层或多层所述钝化层。所述有机平坦层设于所述钝化层远离所述功能结构层的一表面上。
进一步地,所述功能结构层中还包括阻隔层、缓冲层、有源层、第一绝缘层、第一栅极层、第二绝缘层、第二栅极层、介电层以及源漏极层。
所述阻隔层设于所述衬底层上。所述缓冲层设于所述阻隔层上。所述有源层设于所述缓冲层上。所述第一绝缘层设于所述有源层和所述缓冲层的上。所述第一栅极层设于所述第一绝缘层上。所述第二绝缘层设于所述第一栅极层和所述第一绝缘层上。所述第二栅极层设于所述第二绝缘层上。所述介电层设于所述第二栅极层和所述第二绝缘层上。所述源漏极层设于所述介电层上,并穿过所述介电层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层与所述有源层的两端连接。其中,所述有机填充层设于所述介电层和所述源漏极层之间。
进一步地,所述有机填充层具有延伸部和垂直部。所述延伸部覆于所述介电层上。所述垂直部垂直连接于所述延伸部,并穿过所述介电层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述缓冲层和部分阻隔层。
进一步地,所述阵列基板具有功能区和包围所述功能区的非功能区。所述有机填充层的延伸部设于所述非功能区内,所述有源层、所述第一栅极层、所述第二栅极层和所述源漏极层设于所述功能区内。
进一步地,当所述钝化层为单层结构时,所述钝化层中具有亲水物质或基团。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





