[发明专利]阵列基板及显示装置有效
| 申请号: | 201910813497.1 | 申请日: | 2019-08-30 |
| 公开(公告)号: | CN110610948B | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
| 发明(设计)人: | 赵慧慧;何家庆 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底层;
功能结构层,设于所述衬底层上,所述功能结构层中具有有机填充层;
至少一钝化层,设于所述功能结构层的所述有机填充层上,所述钝化层中具有亲水物质或基团;
有机平坦层,设于所述钝化层远离所述功能结构层的一表面上;
所述钝化层为双层结构,所述钝化层中靠近所述有机填充层的一层中具有亲水物质或基团,其靠近所述有机平坦层的一层中具有疏水物质或基团。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述功能结构层中还包括:
阻隔层,设于所述衬底层上;
缓冲层,设于所述阻隔层上;
有源层,设于所述缓冲层上;
第一绝缘层,设于所述有源层和所述缓冲层的上;
第一栅极层,设于所述第一绝缘层上;
第二绝缘层,设于所述第一栅极层和所述第一绝缘层上;
第二栅极层,设于所述第二绝缘层上;
介电层,设于所述第二栅极层和所述第二绝缘层上;
源漏极层,设于所述介电层上,并穿过所述介电层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层与所述有源层的两端连接;
其中,所述有机填充层设于所述介电层和所述源漏极层之间。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述有机填充层具有延伸部和垂直部;
所述延伸部覆于所述介电层上;
所述垂直部垂直连接于所述延伸部,并穿过所述介电层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述缓冲层和部分阻隔层。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,
所述阵列基板具有功能区和包围所述功能区的非功能区;
所述有机填充层的延伸部设于所述非功能区内;
所述有源层、所述第一栅极层、所述第二栅极层和所述源漏极层设于所述功能区内。
5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述钝化层的材料为无机物和带有亲水键的有机物中的一种或多种。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,
所述无机物为氮化硅、氧化硅、单晶硅、锗、氧化锆中的一种或多种;
所述有机物为带有羧基的有机物、带有羟基的有机物中的一种或多种。
7.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层具有掺杂区,所述掺杂区对应设于所述有源层的两端,并且源漏极层与所述掺杂区连接。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-7中任意一项所述的阵列基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910813497.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:TFT阵列基板及OLED面板
- 下一篇:阵列基板的制作方法及阵列基板
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





