[发明专利]阵列基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201910813497.1 申请日: 2019-08-30
公开(公告)号: CN110610948B 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 赵慧慧;何家庆 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L27/32
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 阵列 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:

衬底层;

功能结构层,设于所述衬底层上,所述功能结构层中具有有机填充层;

至少一钝化层,设于所述功能结构层的所述有机填充层上,所述钝化层中具有亲水物质或基团;

有机平坦层,设于所述钝化层远离所述功能结构层的一表面上;

所述钝化层为双层结构,所述钝化层中靠近所述有机填充层的一层中具有亲水物质或基团,其靠近所述有机平坦层的一层中具有疏水物质或基团。

2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述功能结构层中还包括:

阻隔层,设于所述衬底层上;

缓冲层,设于所述阻隔层上;

有源层,设于所述缓冲层上;

第一绝缘层,设于所述有源层和所述缓冲层的上;

第一栅极层,设于所述第一绝缘层上;

第二绝缘层,设于所述第一栅极层和所述第一绝缘层上;

第二栅极层,设于所述第二绝缘层上;

介电层,设于所述第二栅极层和所述第二绝缘层上;

源漏极层,设于所述介电层上,并穿过所述介电层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层与所述有源层的两端连接;

其中,所述有机填充层设于所述介电层和所述源漏极层之间。

3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述有机填充层具有延伸部和垂直部;

所述延伸部覆于所述介电层上;

所述垂直部垂直连接于所述延伸部,并穿过所述介电层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述缓冲层和部分阻隔层。

4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,

所述阵列基板具有功能区和包围所述功能区的非功能区;

所述有机填充层的延伸部设于所述非功能区内;

所述有源层、所述第一栅极层、所述第二栅极层和所述源漏极层设于所述功能区内。

5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述钝化层的材料为无机物和带有亲水键的有机物中的一种或多种。

6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,

所述无机物为氮化硅、氧化硅、单晶硅、锗、氧化锆中的一种或多种;

所述有机物为带有羧基的有机物、带有羟基的有机物中的一种或多种。

7.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层具有掺杂区,所述掺杂区对应设于所述有源层的两端,并且源漏极层与所述掺杂区连接。

8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-7中任意一项所述的阵列基板。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910813497.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top