[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，阵列基板包括位于中间的像素区和位于边缘的端子区，其特征在于，包括以下步骤：

S1：在基板上沉积第一金属层，利用掩膜版进行图案化形成位于像素区的遮光层；

S2：在步骤S1的基础上依次沉积第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层和第二金属层，利用第一半透掩膜版进行图案化形成缓冲层、位于缓冲层上的源极、漏极、像素电极、导电沟道、栅极绝缘层和栅极；

S3：在步骤S2的基础上沉积第三绝缘层，利用掩膜版进行图案化形成覆盖像素区和端子区的介电层，并形成位于像素区源极上方的第一接触孔以及位于端子区栅极上方的第二接触孔；

S4：在步骤S3的基础上沉积第三金属层，利用掩膜版进行图案化形成位于第一接触孔和第二接触孔的上方的数据传输层；

S5：在步骤S4的基础上沉积第四绝缘层，利用掩膜版进行图案化形成覆盖像素区和端子区的绝缘保护层，并形成位于端子区数据传输层上方的第三接触孔；

S6：在步骤S5的基础上沉积金属氧化物层，利用掩膜版进行图案化形成覆盖像素区和第三接触孔的公共电极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括以下步骤：

S21：在步骤S1的基础上依次沉积第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层和第二金属层；

S22：形成覆盖第二金属层的光刻胶，采用第一半透掩膜版对光刻胶进行曝光，显影后形成无光刻胶保留区、光刻胶部分保留区和光刻胶完整保留区；

S23：在步骤S22的基础上对无光刻胶保留区的第二金属层、第二绝缘层和半导体层进行刻蚀；

S24：对光刻胶进行灰化处理，去除掉光刻胶部分保留区的光刻胶，暴露出位于光刻胶部分保留区的第二金属层和第二绝缘层；

S25：先对光刻胶部分保留区暴露的第二金属层和第二绝缘层进行刻蚀，暴露出位于像素区光刻胶部分保留区内的部分半导体层；

S26：剥离光刻胶完整保留区的光刻胶，在像素区和端子区的光刻胶完整保留区形成栅极和栅极绝缘层；

S27：通过离子注入和扩散，对暴露出的部分半导体层进行导体化，半导体层被导体化的部分形成源极和漏极，所述漏极用作像素电极，半导体层未被导体化的部分形成导电沟道。

3.根据权利要求2述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤S26提到的离子注入和扩散的方法，具体可以是化学气相沉积或者是注入氢气等离子体。

4.根据权利要求1述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一金属层是Ti/Cu或者是MoNb/Cu。

5.根据权利要求1述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘层是SiNx/SiO2，所述第二绝缘层是SiO2/SiNx，所述第二金属是MoNb/Cu。

6.根据权利要求1述的阵列基板的制造方法，其特征在于，制作出的导电沟道的长度小于2μm。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括纵横交错的扫描线和数据线、由扫描线和数据线交叉限定的像素区、位于扫描线和数据线交叉处的薄膜晶体管、位于薄膜晶体管下方的缓冲层、位于缓冲层下方的遮光层、与薄膜晶体管接触的数据传输层、覆盖薄膜晶体管和数据传输层的绝缘保护层以及位于绝缘保护层上的公共电极；

其中，所述薄膜晶体管包括源极、漏极、位于源极和漏极之间的导电沟道、位于导电沟道上方的栅极绝缘层、位于栅极绝缘层上方的栅极、介电层；其中，源极、漏极和导电沟道位于同一层，源极和漏极由形成导电沟道的材料经过离子注入形成的；源极、漏极和导电沟道均位于缓冲层的上方；介电层覆盖在栅极、源极和漏极的上方；介电层在漏极上设有第一接触孔，数据传输层位于第一接触孔内且与漏极接触。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述缓冲层、源极、漏极、像素电极、导电沟道、栅极绝缘层和栅极是采用一道光罩进行图案化形成。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述导电沟道的长度小于2μm。