[发明专利]与扇出封装集成的毫米波天线和EMI屏蔽件

说明书

本申请涉及与扇出封装集成的毫米波天线和EMI屏蔽件。揭示用于半导体装置组合件的制造的系统和方法，所述半导体装置组合件具有：半导体装置，其具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；模制化合物区，其邻近于所述半导体装置；再分布层，其邻近于所述半导体装置的所述第一侧；电介质层，其邻近于所述半导体装置的所述第二侧；第一通孔，其延伸通过所述模制化合物区且连接到所述电介质层中的至少一个迹线；以及天线结构，其形成于所述电介质层上且通过所述第一通孔连接到所述半导体装置。

技术领域

本文所述的实施例涉及毫米波天线、电磁干扰(EMI)屏蔽件以及具体来说将它们集成在扇出或其它封装上。

背景技术

随着计算装置与我们的社会愈加紧密接合，数据存取和移动性对于典型消费者来说正变得越来越重要。例如蜂窝电话、平板计算机、膝上型计算机等紧凑型无线计算装置正变得更快、更小且更具移动性。为符合新一代产品的需求，移动装置内的处理和存储器封装必须变得更快且更紧凑。第5代无线系统(5G)提供高处理量、低时延、高移动性和高连接密度。利用毫米波段(24到86GHz)进行移动数据通信有利于产生5G系统。

用于毫米波通信的天线通常包含沉积于移动装置内的印刷电路板(PCB)上的天线阵列。天线占用的面积或占据面积可减小附接到PCB的装置的密度并且可产生较大且较少移动装置。此外，水平毫米波天线可致使干扰相邻电路，天线可沉积于所述相邻电路上方。这些因素可使得难以将毫米波天线并入到移动装置中。可能存在其它问题、缺点和缺陷。

发明内容

在一个方面中，提供一种半导体装置组合件。所述半导体装置组合件包括：半导体装置，其具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；模制化合物区，其邻近于所述半导体装置；再分布层，其邻近于所述半导体装置的所述第一侧；电介质层，其邻近于所述半导体装置的所述第二侧；第一通孔，其延伸通过所述模制化合物区且连接到所述电介质层中的至少一个迹线；天线结构，其形成于所述电介质层上且通过所述第一通孔连接到所述半导体装置。

在另一方面中，提供一种半导体装置组合件。所述半导体装置组合件包括：半导体装置，其具有第一侧；模制化合物区；第一再分布层，其邻近于所述半导体装置的所述第一侧，所述第一再分布层经配置以将所述半导体装置连接到外部装置；第二再分布层，其邻近于所述第一再分布层；以及天线结构，其形成于所述第二再分布层中，所述半导体装置通过所述第一再分布层连接到所述天线结构。

在再一方面中，提供一种半导体装置组合件。所述半导体装置组合件包括：叠层封装组合件，其包括：第一半导体装置；至少一个通孔；以及第二半导体装置，其通过所述至少一个通孔连接到所述第一半导体装置；以及天线结构，其通过所述至少一个通孔连接到所述第一半导体装置或所述第二半导体装置中的至少一个。

在又一方面中，提供一种半导体装置组合件。所述半导体装置组合件包括：半导体装置，其具有作用侧和后侧；模制化合物区；第一再分布层，其邻近于所述半导体装置的所述后侧；电磁干扰(EMI)屏蔽件，其位于所述第一再分布层中；第二再分布层，其位于所述第一再分布层上方；以及天线结构，其形成于所述第二再分布层中且通过通孔连接到所述半导体装置。

在又一方面中，提供一种用于制作半导体装置组合件的方法。所述方法包括：在半导体装置周围模制模制化合物层；在所述模制化合物层之上形成电介质层；在所述电介质层之上形成天线结构；形成穿过所述模制化合物层的通孔，所述通孔连接到所述电介质层中的至少一个迹线；以及通过所述通孔将所述天线结构连接到所述半导体装置。

附图说明

图1是根据所揭示实施例的并入有集成毫米波天线的半导体装置组合件的横截面侧视示意图。

图2是根据所揭示实施例的并入有集成毫米波天线的半导体装置组合件的俯视示意图。

图3是根据所揭示实施例的并入有集成毫米波天线的半导体装置组合件的横截面侧视示意图。