[发明专利]与扇出封装集成的毫米波天线和EMI屏蔽件

权利要求书

1.一种半导体装置组合件，其包括：

半导体装置，其具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；

模制化合物区，其邻近于所述半导体装置；

再分布层，其邻近于所述半导体装置的所述第一侧；

电介质层，其邻近于所述半导体装置的所述第二侧；

第一通孔，其延伸通过所述模制化合物区且连接到所述电介质层中的至少一个迹线；

天线结构，其形成于所述电介质层上且通过所述第一通孔连接到所述半导体装置。

2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述天线结构是5g毫米波天线。

3.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述天线结构是可调谐天线。

4.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述半导体装置的所述第一侧是所述半导体装置的活动表面。

5.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包括：

第二通孔，其延伸通过所述模制化合物区且连接到所述电介质层中的至少一个迹线；以及

第二天线结构，其形成于所述电介质层上且通过所述第二通孔连接到所述半导体装置。

6.一种半导体装置组合件，其包括：

半导体装置，其具有第一侧；

模制化合物区；

第一再分布层，其邻近于所述半导体装置的所述第一侧，所述第一再分布层经配置以将所述半导体装置连接到外部装置；

第二再分布层，其邻近于所述第一再分布层；以及

天线结构，其形成于所述第二再分布层中，所述半导体装置通过所述第一再分布层连接到所述天线结构。

7.根据权利要求6所述的半导体装置组合件，其中所述天线结构是5g毫米波天线。

8.根据权利要求6所述的半导体装置组合件，其中所述天线结构是可调谐天线。

9.根据权利要求6所述的半导体装置组合件，其中所述半导体装置的所述第一侧是所述半导体装置的活动表面。

10.一种半导体装置组合件，其包括：

叠层封装组合件，其包括：

第一半导体装置；

至少一个通孔；以及

第二半导体装置，其通过所述至少一个通孔连接到所述第一半导体装置；以及

天线结构，其通过所述至少一个通孔连接到所述第一半导体装置或所述第二半导体装置中的至少一个。

11.根据权利要求10所述的半导体装置组合件，其中所述天线结构位于所述第一半导体装置与所述第二半导体装置之间。

12.根据权利要求11所述的半导体装置组合件，其进一步包括：

第二天线结构，其位于所述叠层封装组合件的后侧上。

13.根据权利要求10所述的半导体装置组合件，其中所述天线结构位于所述叠层封装组合件的后侧上。

14.根据权利要求10所述的半导体装置组合件，其中所述天线结构是5g毫米波天线。

15.根据权利要求10所述的半导体装置组合件，其中所述天线结构是可调谐天线。

16.一种半导体装置组合件，其包括：

半导体装置，其具有作用侧和后侧；

模制化合物区；

第一再分布层，其邻近于所述半导体装置的所述后侧；

电磁干扰EMI屏蔽件，其位于所述第一再分布层中；

第二再分布层，其位于所述第一再分布层上方；以及

天线结构，其形成于所述第二再分布层中且通过通孔连接到所述半导体装置。