[发明专利]增大自对准镍硅化物面积的方法及使用该方法制造的器件

权利要求书

1.一种增大自对准镍硅化物面积的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，在半导体衬底表面形成栅极膜组及侧墙层，并用湿法刻蚀减薄外层侧墙；

步骤二，在栅极模组及侧墙层的外表面形成第一硬掩模层；

步骤三，以光刻方式定义需要自对准生成镍硅化物区域；

步骤四，以干刻结合湿法工艺去除第一硬掩模层；

步骤五，进行镍硅化物的自对准生成。

2.如权利要求1所述的增大自对准镍硅化物面积的方法，其特征在于，所述步骤一中半导体衬底包含浅沟槽与有源区。

3.如权利要求1所述的增大自对准镍硅化物面积的方法，其特征在于，所述步骤一中的栅极模组包括栅氧化层、多晶硅栅层及第二硬掩模层和第三硬掩模层。

4.如权利要求1所述的增大自对准镍硅化物面积的方法，其特征在于，所述步骤一中，在所述栅极模组外侧依次沉积第一侧墙层、氧化物层、第二侧墙层。

5.如权利要求4所述的增大自对准镍硅化物面积的方法，其特征在于，所述第一、二侧墙均为氮化硅层。

6.如权利要求1所述的增大自对准镍硅化物面积的方法，其特征在于，所述步骤二中的第一硬掩模层为金属硅化物阻挡层。

7.如权利要求6所述的增大自对准镍硅化物面积的方法，其特征在于，所述金属硅化物阻挡层的材质为氧化硅或氮化硅。

8.如权利要求1所述的增大自对准镍硅化物面积的方法，其特征在于，所述步骤三中，先用光刻胶覆盖不需要生成镍硅化物的区域，然后以光刻方式定义需要自对准生成镍硅化物区域。

9.如权利要求1所述的增大自对准镍硅化物面积的方法，其特征在于，所述步骤四中，先使用干刻工艺去除部分第一硬掩模层，然后再采用湿法工艺去除剩余的第一硬掩模层。

10.如权利要求8所述的增大自对准镍硅化物面积的方法，其特征在于，采用湿法工艺去除掩模时，除了有源区上方的下层掩模外，还要完全去除多晶硅栅侧壁的下层掩模材质。

11.如权利要求1所述的增大自对准镍硅化物面积的方法，其特征在于，所述步骤五的进行镍硅化物的自对准生成步骤依次包括：镍和保护层溅射、第一次高温退火、湿式选择性刻蚀和第二次高温退火。

12.使用如权利要求1-11中之一的方法制造的器件，其特征在于，所述器件包括包含自对准硅化物区域和非自对准硅化物形成区的衬底；在所述非自对准硅化物形成区衬底上自下而上依次沉积有栅氧化层、多晶硅栅、第二硬掩模层及第三硬掩模层，所述多晶硅栅外侧依次沉积有第一侧墙层、氧化物层、第二侧墙层，在所述硅绝缘区的衬底上沉积有第一硬掩模层。

13.如权利要求12所述的增大自对准镍硅化物面积的方法，其特征在于，所述第一层侧墙的厚度为1nm-20nm，所述第二层侧墙的厚度为10nm-50nm。

14.如权利要求13所述的增大自对准镍硅化物面积的方法，其特征在于，所述SAB层的厚度为10nm-30nm。

15.如权利要求14所述的增大自对准镍硅化物面积的方法，其特征在于，所述第二、第三硬掩模层分别为氮化硅硬掩模层和氧化物硬掩模层。

16.如权利要求14所述的增大自对准镍硅化物面积的方法，其特征在于，所述镍硅化物为NiSi。