[发明专利]小片电池的制备方法

说明书

本发明公开了一种小片电池的制备方法，将硅棒边皮料切割成小片硅片，再通过匹配的电池生产线完成电池片的生产，可直接得到半片、叠瓦、拼片等组件技术所需要的小片电池。与现有边皮料熔融回炉的方式相比，本发明能更有效地利用边皮料，减少能源浪费，大大节省硅片的制造成本。本发明直接将硅棒边皮料切割成小片硅片，可在电池片的制备过程中去除小片硅片边缘的损伤层，进而消除边缘损伤层的不良影响，避免分割成品电池片而造成小片电池的功率损失。

技术领域

本发明涉及小片电池的制备方法。

背景技术

单晶硅片由单晶硅棒切割而成，一般先将单晶硅棒进行切方，得到用于制备单晶硅片的方棒，再将方棒切片制得单晶硅片。单晶硅棒切方会产生边皮料，而边皮料一般都是回炉或用作高效多晶铸锭籽晶等使用，造成单晶硅棒的利用率较低。

另外，现有的半片、叠瓦、拼片等组件技术都采用小片电池，而现有的小片电池都由成品电池片（方片或准方片）切割而成，需额外增加划片和裂片的设备/步骤，增加了生产成本。

且对成品电池片进行划片和裂片，裂片完成后，小片电池边缘（即整片的断裂处）会产生损伤层，损伤层存在非常高的表面缺陷，表面缺陷会成为载流子复合中心，从而导致小片电池边缘区域少子寿命降低、表面复合电流明显增加，进而导致小片电池的开路电压和短路电流的损失，即导致小片电池的功率损失。

发明内容

为了解决现有技术中的缺陷，本发明提供一种小片电池的制备方法，先将边皮料切割成条状硅片，再将条状硅片制成小片电池；

所述边皮料为单晶硅棒切方产生的边皮料；边皮料分别包括：切方所形成的长方形切割面，以及与切割面相背的弧面；以切割面为基准面；以切割面和弧面的结合部为尖角部；

所述将硅棒边皮料切割成条状硅片，包括如下步骤：

将边皮料截断，得到边皮料小段，且边皮料小段上基准面的长度与条状硅片的预定长度一致；

将边皮料小段两侧的尖角部切除，并将边皮料小段上与基准面相背的弧形凸出部切除，得到用于制备条状硅片的硅块，且硅块上基准面的长宽尺寸与条状硅片的预定长宽尺寸一致；

沿与硅块上基准面相平行的方向对硅块进行切片，得到条状硅片。

优选的，所述条状硅片的四个角为直角或圆角。

优选的，所述条状硅片的宽度为10～160mm。

优选的，所述条状硅片的长度为10～320mm。

优选的，所述条状硅片的厚度为50～240um。

优选的，使用带锯截断机或金刚线截断机将边皮料截断。

优选的，使用金刚线切片机对硅块进行切片。

优选的，所述将条状硅片制成小片电池，包括依次进行的如下步骤：制绒，扩散，刻蚀，镀膜，丝印，烧结。

优选的，所述小片电池为SE电池、BSF电池、PERC电池、SE-PERC电池、PERL电池、PERT电池、TOPCon电池、IBC电池、MWT电池或HIT电池。

优选的，所述将条状硅片制成小片电池，包括依次进行的如下步骤：制绒，扩散，刻蚀，镀膜，丝印，烧结。

优选的，所述小片电池为SE电池；所述将条状硅片制成小片电池，包括依次进行的如下步骤：制绒，扩散，激光掺杂，背面抛光和去PSG，镀膜（正面、背面膜层沉积），丝印，烧结。

优选的，所述小片电池为PERC电池；所述将条状硅片制成小片电池，包括依次进行的如下步骤：制绒，扩散，背面抛光和去PSG，退火，正背面镀膜，激光开孔，丝印，烧结，电注入或光注入钝化。