[发明专利]小片电池的制备方法在审
| 申请号: | 201910807889.7 | 申请日: | 2019-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN110534617A | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
| 发明(设计)人: | 符黎明;曹育红;孟祥熙 | 申请(专利权)人: | 常州时创能源科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/04;H01L21/304;H01L21/02 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 213300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 硅片 皮料切割 电池 电池片 硅棒 皮料 电池生产线 边缘损伤 成品电池 功率损失 硅片边缘 制备过程 制造成本 组件技术 损伤层 有效地 半片 回炉 拼片 熔融 去除 制备 匹配 分割 能源 生产 | ||
1.小片电池的制备方法,其特征在于,先将边皮料切割成条状硅片,再将条状硅片制成小片电池;
所述边皮料为单晶硅棒切方产生的边皮料;边皮料分别包括:切方所形成的长方形切割面,以及与切割面相背的弧面;以切割面为基准面;以切割面和弧面的结合部为尖角部;
所述将硅棒边皮料切割成条状硅片,包括如下步骤:
将边皮料截断,得到边皮料小段,且边皮料小段上基准面的长度与条状硅片的预定长度一致;
将边皮料小段两侧的尖角部切除,并将边皮料小段上与基准面相背的弧形凸出部切除,得到用于制备条状硅片的硅块,且硅块上基准面的长宽尺寸与条状硅片的预定长宽尺寸一致;
沿与硅块上基准面相平行的方向对硅块进行切片,得到条状硅片。
2.根据权利要求1所述的小片电池的制备方法,其特征在于,所述条状硅片的四个角为直角或圆角。
3.根据权利要求1所述的小片电池的制备方法,其特征在于,所述条状硅片的宽度为10~160mm。
4.根据权利要求1所述的小片电池的制备方法,其特征在于,所述条状硅片的长度为10~320mm。
5.根据权利要求1所述的小片电池的制备方法,其特征在于,所述条状硅片的厚度为50~240um。
6.根据权利要求1所述的小片电池的制备方法,其特征在于,使用带锯截断机或金刚线截断机将边皮料截断。
7.根据权利要求1所述的小片电池的制备方法,其特征在于,使用金刚线切片机对硅块进行切片。
8.根据权利要求1所述的小片电池的制备方法,其特征在于,所述小片电池为SE电池、BSF电池、PERC电池、SE-PERC电池、PERL电池、PERT电池、TOPCon电池、IBC电池、MWT电池或HIT电池。
9.根据权利要求1所述的小片电池的制备方法,其特征在于,所述将条状硅片制成小片电池,包括依次进行的如下步骤:制绒,扩散,刻蚀,镀膜,丝印,烧结。
10.根据权利要求1所述的小片电池的制备方法,其特征在于,所述小片电池为SE电池;所述将条状硅片制成小片电池,包括依次进行的如下步骤:制绒,扩散,激光掺杂,背面抛光和去PSG,镀膜,丝印,烧结。
11.根据权利要求1所述的小片电池的制备方法,其特征在于,所述小片电池为PERC电池;所述将条状硅片制成小片电池,包括依次进行的如下步骤:制绒,扩散,背面抛光和去PSG,退火,正背面镀膜,激光开孔,丝印,烧结,电注入或光注入钝化。
12.根据权利要求1所述的小片电池的制备方法,其特征在于,所述小片电池为SE-PERC电池;所述将条状硅片制成小片电池,包括依次进行的如下步骤:制绒,扩散,激光掺杂,背面抛光和去PSG,退火,正背面镀膜,激光开孔,丝印,烧结,电注入或光注入钝化。
13.根据权利要求1所述的小片电池的制备方法,其特征在于,所述小片电池为SE-PERC电池;所述将条状硅片制成小片电池,包括依次进行的如下步骤:制绒,局部印刷或喷涂磷浆,扩散,背面抛光和去PSG,退火,正背面镀膜,激光开孔,丝印,烧结,电注入或光注入钝化。
14.根据权利要求1所述的小片电池的制备方法,其特征在于,所述小片电池为SE-PERC电池;所述将条状硅片制成小片电池,包括依次进行的如下步骤:制绒,扩散,背面抛光,局部印刷保护胶,正面PN结腐蚀,去胶,退火,正背面镀膜,激光开孔,丝印,烧结,电注入或光注入钝化。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州时创能源科技有限公司,未经常州时创能源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910807889.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





