[发明专利]制造EUV光掩模的方法

说明书

本公开涉及制造EUV光掩模的方法。在一种制造光掩模的方法中，在待蚀刻的光掩模的目标层上方形成具有电路图案的蚀刻掩模层。光掩模包括背部导电层。通过等离子体蚀刻来蚀刻目标层，同时防止等离子体的活性物质侵蚀背部导电层。

技术领域

本公开涉及制造EUV光掩模的方法。

背景技术

光刻操作是半导体制造工艺中的关键操作之一。光刻技术包括紫外光刻、深紫外光刻和极紫外光刻(EUVL)。光掩模是光刻操作中的重要组件。制造没有缺陷的EUV光掩模至关重要。

发明内容

根据本公开的一个实施例，提供了一种制造光掩模的方法，包括：在待蚀刻的所述光掩模的目标层上方形成具有电路图案的蚀刻掩模层，所述光掩模包括背部导电层；以及通过等离子体蚀刻来蚀刻所述目标层，同时防止等离子体的活性物质侵蚀所述背部导电层。

根据本公开的另一实施例，提供了种制造光掩模的方法，包括：在待蚀刻的所述光掩模的目标层上方形成具有电路图案的蚀刻掩模层，所述光掩模包括背部导电层；将所述光掩模放置在蚀刻装置中的台子上，使得没有设置背部导电层的所述光掩模的底表面以等于或小于0.5mm的间隙放置在所述台子上方；以及在所述蚀刻装置中通过等离子体蚀刻来蚀刻所述目标层。

根据本公开的又一实施例，提供了一种用于蚀刻光掩模的目标层的蚀刻装置，包括：掩模台子；以及电动卡盘，用于保持所述光掩模，其中，所述掩模台子在所述掩模台子的平坦表面处包括与所述光掩模的底表面接触的突起。

附图说明

在结合附图阅读时，可以从以下详细描述中最佳地理解本公开。应当注意，根据行业的标准做法，各种部件不是按比例绘制的，并且仅用于说明的目的。事实上，为了讨论的清楚起见，各种部件的尺寸可能被任意增大或减小。

图1A、图1B、图1C、图1D、图1E、图1F和图1G示意性地示出了根据本公开的实施例的制造EUV光掩模的方法。

图2示出了根据本公开的实施例的硬蚀刻盖的示意图。

图3示出了根据本公开的一个实施例的使用硬蚀刻盖的蚀刻操作的示意图。

图4A、图4B、图4C和图4D示出了根据本公开的实施例的硬蚀刻盖的示意图。

图4E和图4F示出了根据本公开的实施例的硬蚀刻盖的结构。

图5示出了通过加载锁定室将待蚀刻的EUV光掩模加载到蚀刻室中的操作。

图6示出了根据本公开的一个实施例的EUV光掩模的蚀刻操作的示意图。

图7示出了根据本公开的另一实施例的EUV光掩模的蚀刻操作的示意图。

图8示出了根据本公开的另一实施例的EUV光掩模的蚀刻操作的示意图。

图9A、图9B和图9C示出了根据本公开的实施例的各种盖支撑件的视图。

具体实施方式

应理解，下面的公开内容提供了用于实现本发明的不同部件的许多不同的实施例或实例。下文描述了组件和布置的具体实施例或实例以简化本公开。当然，这些仅仅是实例而不意图是限制性的。例如，元件的尺寸不限于所公开的范围或值，而可以取决于器件的工艺条件和/或期望属性。此外，在下面的说明中，在第二部件上方或之上形成第一部件可以包括以直接接触的方式形成第一部件和第二部件的实施例，并且还可以包括可以在第一部件和第二部件之间形成附加部件以使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。为了简单和清楚起见，可以以不同比例任意绘制各种部件。