[发明专利]制造EUV光掩模的方法在审
| 申请号： | 201910807763.X | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110967916A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 李信昌;许倍诚;连大成;王子奕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/22 | 分类号： | G03F1/22;G03F1/24;G03F1/54 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 euv 光掩模 方法 | ||
1.一种制造光掩模的方法，包括：
在待蚀刻的所述光掩模的目标层上方形成具有电路图案的蚀刻掩模层，所述光掩模包括背部导电层；以及
通过等离子体蚀刻来蚀刻所述目标层，同时防止等离子体的活性物质侵蚀所述背部导电层。
2.根据权利要求1所述的方法，包括：利用蚀刻硬盖覆盖所述目标层的边缘部分，同时通过所述蚀刻硬盖的开口暴露所述目标层的待蚀刻的区域。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述蚀刻硬盖是可重复使用的。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述蚀刻硬盖由陶瓷制成。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述蚀刻硬盖具有框架形状、框架部分和侧框架，所述框架形状具有所述开口，所述框架部分限定所述开口，所述框架部分从所述侧框架延伸。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述框架部分覆盖所述边缘部分。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述框架部分的底表面与所述蚀刻掩模层接触。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述框架部分的底表面利用间隙而不与所述蚀刻掩模层接触。
9.一种制造光掩模的方法，包括：
在待蚀刻的所述光掩模的目标层上方形成具有电路图案的蚀刻掩模层，所述光掩模包括背部导电层；
将所述光掩模放置在蚀刻装置中的台子上，使得没有设置背部导电层的所述光掩模的底表面以等于或小于0.5mm的间隙放置在所述台子上方；以及
在所述蚀刻装置中通过等离子体蚀刻来蚀刻所述目标层。
10.一种用于蚀刻光掩模的目标层的蚀刻装置，包括：
掩模台子；以及
电动卡盘，用于保持所述光掩模，其中，所述掩模台子在所述掩模台子的平坦表面处包括与所述光掩模的底表面接触的突起。
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