[发明专利]白光量子点发光二极管器件及其制备方法

说明书

一种白光量子点发光二极管器件,包括:一基板；一阳极层,形成在所述基板上；一空穴注入层,形成在所述阳极层上；一空穴传输层,形成在所述空穴注入层上；多个量子点层,形成在所述空穴注入层上,所述多个量子点层包括蓝光量子点层、绿光量子点层、以及红光量子点层；多个间隔层,每一个所述间隔层形成在所述多个量子点层中的任意二个量子点层之间；一电子传输层,形成在所述多个量子点层之上；以及一阴极层,形成在所述电子传输层之上。

【技术领域】

本发明涉及显示技术领域,具体涉及白光量子点发光二极管器件及其制备方法。

【背景技术】

量子点发光二极管(quantum dot light emitting diode,QD-LED)是使用量子点作为发光层的一种新型显示器件。由于量子点的发射光谱半峰宽狭窄,且随着量子点尺寸的改变,光谱范围也会发生位移,因此QD-LED器件不仅发光效率高,而且发光范围可包含整个可见光谱范围。因而,近年来,QD-LED器件的研究受到广泛关注。

现今量子点发光二极管的性能相对于单色光量子点发光二极管是较低的,例如采用叠层式量子点发光层,上层量子点将会对下层量子点产生溶解或是渗透。目前提高量子点发光二极管的性能主要通过优化量子点的量子效率来实现,该方法难度大且成本高。

【发明内容】

为解决上述问题,本发明提出一种白光量子点发光二极管器件,包括:

一基板；

形成在所述基板上的阳极层；

形成在所述阳极层上的空穴注入层；

形成在所述空穴注入层上的空穴传输层；

形成在所述空穴注入层上的多个量子点层,所述多个量子点层包括蓝光量子点层、绿光量子点层、以及红光量子点层；

多个间隔层,每一个所述间隔层形成在所述多个量子点层中的任意二个量子点层之间；

形成在所述多个量子点层之上的电子传输层；以及

形成在所述电子传输层之上的阴极层。

较佳地,所述基板为玻璃基板。

较佳地,所述空穴注入层的厚度为10nm；所述空穴传输层的厚度为30nm；所述电子传输层的厚度为50nm。

较佳地,所述蓝光量子点层、绿光量子点层以及红光量子点层的厚度为30nm。

较佳地,所述间隔层由氧化锌(ZnO)或二氧化钛(TiO₂)或二氧化锡(SnO₂)颗粒所组成。

较佳地,所述间隔层为一单层结构,厚度为1-10nm。

较佳地,所述量子点为一核壳结构。

较佳地,所述量子点的核壳结构中的核结构由硫化镉(cadmium sulfide)、硒化镉(cadmium selenide)、碲化镉(cadmium telluride)、硫化铅(lead sulfide)、硒化铅(leadselenide)中的至少一种所组成；所述量子点的核壳结构中的壳结构由硫化锌或硒化锌所组成。

本发明亦提出一种制备白光量子点发光二极管器件的方法,包括:

提供一已形成一阳极层的玻璃基板；

在所述阳极层上形成一空穴注入层；

在所述空穴注入层上形成一空穴传输层；

在所述空穴传输层上形成一包括蓝光量子点层、第一间隔层、

绿光量子点层、第二间隔层、以及红光量子点层的多个量子点层和多个间隔层；