[发明专利]白光量子点发光二极管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910805626.2 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110611033A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 吴元均;矫士博;袁伟 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子点层 光量子 电子传输层 空穴注入层 间隔层 阳极层 基板 发光二极管器件 传输层 阴极层 注入层 红光 | ||
1.一种白光量子点发光二极管器件,其特征在于,包括:
一基板；
一阳极层,形成在所述基板上；
一空穴注入层,形成在所述阳极层上；
一空穴传输层,形成在所述空穴注入层上；
多个量子点层,形成在所述空穴注入层上,所述多个量子点层包括蓝光量子点层、绿光量子点层、以及红光量子点层；
多个间隔层,每一个所述间隔层形成在所述多个量子点层中的任意二个量子点层之间；
一电子传输层,形成在所述多个量子点层之上；以及
一阴极层,形成在所述电子传输层之上。
2.如权利要求1所述的白光量子点发光二极管器件,其特征在于,所述基板为玻璃基板。
3.如权利要求1所述的白光量子点发光二极管器件,其特征在于,所述空穴注入层的厚度为10nm；所述空穴传输层的厚度为30nm；所述电子传输层的厚度为50nm。
4.如权利要求1所述的白光量子点发光二极管器件,其特征在于,所述蓝光量子点层、绿光量子点层以及红光量子点层的厚度为30nm。
5.如权利要求1所述的白光量子点发光二极管器件,其特征在于,所述间隔层由氧化锌(ZnO)或二氧化钛(TiO2)或二氧化锡(SnO2)颗粒所组成。
6.如权利要求5所述的白光量子点发光二极管器件,其特征在于,所述间隔层为一单层结构,厚度为1-10nm。
7.如权利要求1所述的白光量子点发光二极管器件,其特征在于,所述量子点为一核壳结构。
8.如权利要求7所述的白光量子点发光二极管器件,其特征在于,所述核结构由硫化镉、硒化镉、碲化镉、硫化铅、硒化铅中的至少一种所组成；所述壳结构由硫化锌或硒化锌所组成。
9.一种制备白光量子点发光二极管器件的方法,其特征在于,包括:
提供一已形成一阳极层的玻璃基板；
在所述阳极层上形成一空穴注入层；
在所述空穴注入层上形成一空穴传输层；
在所述空穴传输层上形成一包括蓝光量子点层、第一
间隔层、绿光量子点层、第二间隔层以及红光量子点层的多个量子点层和多个间隔层；
在所述多个量子点层上形成一电子传输层；以及
在所述电子传输层上形成一阴极层。
10.如权利要求9所述的制备白光量子点发光二极管器件的方法,其特征在于,所述间隔层通过旋涂、喷墨、以及电镀之任一方法形成。
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