[发明专利]清洗装置、方法及存储介质

说明书

本发明实施例提供了一种清洗装置、方法及存储介质。其中，所述装置包括：转台；所述转台能够转动；固定部件，设置在所述转台上；待清洗器件通过所述固定部件固定在所述转台上；其中，被固定在所述转台上的所述待清洗器件与所述转台之间形成有中空结构；所述转台的转动带动所述待清洗器件转动；第一喷头，设置在所述待清洗器件的上方，用于向所述待清洗器件的待清洗面喷射清洗剂，以清洁所述待清洗面；第二喷头，用于喷射第一液体，以在清洁所述待清洗面的过程中去除待流入所述中空结构中的清洗剂，使得所述待清洗器件的非清洗面不接触到所述清洗剂；所述第二喷头的个数为多个；多个第二喷头以圆形布设在所述转台的上表面上。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种清洗装置、方法及存储介质。

背景技术

在半导体的制造过程中，晶圆表面的洁净度及表面态对获得高质量的半导体器件至关重要，因此晶圆清洗的步骤必不可小。在一些晶圆的清洗过程中，要求利用化学清洗液清洗晶圆的某一面(待清洗面)，同时还需保证该晶圆的另一面(非清洗面)不接触到化学清洗液(非清洗面不被化学清洗液损伤)。然而，相关技术中，很难保证该晶圆的另一面不接触到化学清洗液。

发明内容

为解决现有存在的技术问题，本发明实施例提出一种清洗装置、方法及存储介质，能够实现清洗待清洗器件的待清洗面的同时保证该待清洗器件的非清洗面不接触到化学清洗液。

本发明实施例提供了一种清洗装置，包括：

转台；所述转台能够转动；

固定部件，设置在所述转台上；待清洗器件通过所述固定部件固定在所述转台上；其中，被固定在所述转台上的所述待清洗器件与所述转台之间形成有中空结构；所述转台的转动带动所述待清洗器件转动；

第一喷头，设置在所述待清洗器件的上方，用于向所述待清洗器件的待清洗面喷射清洗剂，以清洁所述待清洗面；

第二喷头，用于喷射第一液体，以在清洁所述待清洗面的过程中去除待流入所述中空结构中的清洗剂，使得所述待清洗器件的非清洗面不接触到所述清洗剂；所述第二喷头的个数为多个；多个第二喷头以圆形布设在所述转台的上表面上。

上述方案中，所述第一液体为去离子水。

上述方案中，所述多个第二喷头形成的圆形的第一半径小于所述待清洗器件的第二半径。

上述方案中，所述第一半径与所述第二半径之间相差第一预设长度。

上述方案中，所述清洗装置还包括控制器，所述控制器用于控制所述第二喷嘴开启的时刻早于所述第一喷嘴开启的时刻，且所述第二喷嘴关闭的时刻晚于所述第一喷嘴关闭的时刻。

上述方案中，所述待清洗器件以待清洗面向上固定于所述转台上。

本发明实施例还提供一种清洗方法，包括：

控制清洗装置的转台旋转，以带动待清洗器件旋转；所述待清洗器件通过所述清洗装置的固定部件固定在所述清洗装置的转台上；被固定在所述转台上的所述待清洗器件与所述转台之间形成有中空结构；

控制所述清洗装置的第二喷头喷射第一液体，所述第二喷头的个数为多个；多个第二喷头以圆形布设在所述转台的上表面上；

控制所述清洗装置的第一喷头向所述待清洗器件的待清洗面喷射清洗剂，以使所述待清洗器件的待清洗面得到清洗；所述第一喷头设置在所述待清洗器件的上方；利用所述第一液体去除待流入所述中空结构中的清洗剂，使得所述待清洗器件的非清洗面不接触到所述清洗剂。

上述方案中，所述第一液体为去离子水。

上述方案中，控制所述第二喷嘴开启的时刻早于所述第一喷嘴开启的时刻，且所述第二喷嘴关闭的时刻晚于所述第一喷嘴关闭的时刻。