[发明专利]清洗装置、方法及存储介质在审
申请号: | 201910804727.8 | 申请日: | 2019-08-28 |
公开(公告)号: | CN110600405A | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 白靖宇 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02;B08B3/08;B08B13/00 |
代理公司: | 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李梅香;张颖玲 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗器件 转台 喷头 清洗面 清洗剂 转动 固定部件 中空结构 喷射清洗剂 存储介质 清洗装置 清洁 不接触 上表面 去除 喷射 清洗 | ||
1.一种清洗装置,其特征在于,所述装置包括:
转台;所述转台能够转动;
固定部件,设置在所述转台上;待清洗器件通过所述固定部件固定在所述转台上;其中,被固定在所述转台上的所述待清洗器件与所述转台之间形成有中空结构;所述转台的转动带动所述待清洗器件转动;
第一喷头,设置在所述待清洗器件的上方,用于向所述待清洗器件的待清洗面喷射清洗剂,以清洁所述待清洗面;
第二喷头,用于喷射第一液体,以在清洁所述待清洗面的过程中去除待流入所述中空结构中的清洗剂,使得所述待清洗器件的非清洗面不接触到所述清洗剂;所述第二喷头的个数为多个;多个第二喷头以圆形布设在所述转台的上表面上。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一液体为去离子水。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述多个第二喷头形成的圆形的第一半径小于所述待清洗器件的第二半径。
4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述第一半径与所述第二半径之间相差第一预设长度。
5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述清洗装置还包括控制器,所述控制器用于控制所述第二喷嘴开启的时刻早于所述第一喷嘴开启的时刻,且所述第二喷嘴关闭的时刻晚于所述第一喷嘴关闭的时刻。
6.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述待清洗器件以待清洗面向上固定于所述转台上。
7.一种清洗方法,其特征在于,所述方法包括:
控制清洗装置的转台旋转,以带动待清洗器件旋转;所述待清洗器件通过所述清洗装置的固定部件固定在所述清洗装置的转台上;被固定在所述转台上的所述待清洗器件与所述转台之间形成有中空结构;
控制所述清洗装置的第二喷头喷射第一液体,所述第二喷头的个数为多个;多个第二喷头以圆形布设在所述转台的上表面上;
控制所述清洗装置的第一喷头向所述待清洗器件的待清洗面喷射清洗剂,以使所述待清洗器件的待清洗面得到清洗;所述第一喷头设置在所述待清洗器件的上方;利用所述第一液体去除待流入所述中空结构中的清洗剂,使得所述待清洗器件的非清洗面不接触到所述清洗剂。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述第一液体为去离子水。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,控制所述第二喷嘴开启的时刻早于所述第一喷嘴开启的时刻,且所述第二喷嘴关闭的时刻晚于所述第一喷嘴关闭的时刻。
10.一种存储介质,其上存储有可执行指令,其特征在于,所述可执行指令被处理器执行时实现权利要求7至9任一项所述方法的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造