[发明专利]R-T-B系烧结磁体

说明书

本发明涉及R‑T‑B系烧结磁体。本发明涉及一种R‑T‑B系烧结磁体，其包括：稀土类元素R；金属元素T，其为Fe或者其包含Fe和取代Fe的一部分的Co；硼；和硼化物形成元素M，其为除了稀土类元素和金属元素T以外的金属元素并且形成硼化物，其中R‑T‑B系烧结磁体包括：包含R‑T‑B系合金的晶粒的主相；和在主相的晶粒的优先生长面上生成的并且包含基于硼化物形成元素M的硼化物的化合物相的硼化物相。

技术领域

本发明涉及R-T-B系烧结磁体，并且更具体地涉及添加了用于形成硼化物的元素的R-T-B系烧结磁体。

背景技术

R-T-B系烧结磁体(R为稀土类元素，T为Fe或者包含Fe和取代Fe的一部分的Co)作为一种具有高磁性的稀土类磁体来使用。一般地，R-T-B系烧结磁体包含具有R₂T₁₄B的组成的晶粒作为主相。

在R-T-B系烧结磁体中，在烧结期间会发生其中晶粒(crystal grains)不均匀地生长的异常晶粒生长(abnormal grain growth)(AGG)。异常晶粒生长导致烧结磁体的矫顽力和方形度(squareness)降低，由此期望抑制异常晶粒生长。例如，专利文献1中公开了在具有预定成分组成和结构的R-Fe-B系烧结磁体中的晶界三重点处包括选自Ti和Zr等的金属元素的硼化物相的形态。在专利文献1中，认为在晶界三重点处形成的硼化物相起到抑制烧结期间的异常晶粒生长的作用。

专利文献1：JP-A-2017-147425

发明内容

在R-T-B系烧结磁体中，杂质元素O、C和N易于在晶界相形成稳定的稀土类-杂质化合物，即，包含稀土类的氧化物、碳化物或氮化物。这些稀土类-杂质化合物由于钉扎效应使得还具有抑制主相的异常晶粒生长的效果。

然而，当在晶界相中形成如上所述的稀土类-杂质化合物时，润湿和铺展至晶界的稀土类元素的体积分数降低，整个烧结磁体的矫顽力降低。因此，在R-T-B系烧结磁体中，为了获得充分的矫顽力，意图降低杂质的含量。例如，近年来，对于使磁体材料成形和烧结，在一些情况下使用无压工艺方法(PLP法)。在PLP法中，在将粉末状磁体材料填充至模具的状态下，将磁场施加至整个模具并且使原料颗粒取向。然后，在气氛控制的烧结室中用模具对粉末状磁体材料进行烧结以获得烧结磁体。与背景技术一样，当进行按压步骤时，在按压期间，难以完全阻断磁体材料与大气的接触，并且源自大气的杂质如O、C和N容易包含在磁体材料中。另一方面，在PLP法中，可以在控制气氛的同时不进行按压步骤而获得烧结体。结果，烧结体中杂质的含量可以降低。

当通过采用PLP法等来降低R-T-B系烧结磁体中如O、C和N等杂质的含量时，难以利用由于稀土类-杂质化合物而抑制异常晶粒生长的效果。即，必须通过其它手段来充分抑制异常晶粒生长。如专利文献1中所述，通过形成如Ti和Zr等金属元素的硼化物相，即使稀土类-杂质化合物的生成量少，也存在抑制异常晶粒生长的可能性。然而，对抑制异常晶粒生长的贡献程度会根据形成的硼化物的形态而不同。即，如专利文献1中所述，除了在晶界三重点处形成硼化物相的形态以外，可以存在可以有效(或者比上述形态更有效)抑制异常晶粒生长的形态。

本发明的目的是提供一种R-T-B系烧结磁体，其通过在晶界三重点以外的地方形成金属硼化物可以有效抑制异常晶粒生长。

为了实现上述目的，本发明涉及以下构成(1)至(7)。

(1)一种R-T-B系烧结磁体，其包括：

稀土类元素R；

金属元素T，其为Fe或者其包括Fe和取代Fe的一部分的Co；

硼；和

硼化物形成元素M，其为除了稀土类元素和金属元素T以外的金属元素并且形成硼化物，

其中R-T-B系烧结磁体包括：