[发明专利]R-T-B系烧结磁体

权利要求书

1.一种R-T-B系烧结磁体，所述R-T-B系烧结磁体包含：

稀土类元素R；

金属元素T，其为Fe或者其包含Fe和取代Fe的一部分的Co；

硼；和

硼化物形成元素M，其为除了稀土类元素和所述金属元素T以外的金属元素并且形成硼化物，

其中所述R-T-B系烧结磁体包含：

主相，所述主相包含R-T-B系合金的晶粒；和

硼化物相，所述硼化物相包含基于所述硼化物形成元素M的硼化物的化合物相且在所述主相的晶粒的优先生长面上生成，

其中所述硼化物相在所述主相的晶粒的所述优先生长面上外延生长，

其中所述主相包含优先生长取向为a-轴方向和b轴方向的四方晶体，和

所述优先生长面包括面(110)、面(100)和面(010)中的至少之一，

所述R-T-B系烧结磁体以质量％计包括总含量为0.01％～0.1％的所述硼化物形成元素M，

在所述主相的晶粒的优先生长面中面向其中两个晶粒彼此相邻的二晶粒晶界的优先生长面和面向晶界三重点的优先生长面的二者上形成所述硼化物相。

2.根据权利要求1所述的R-T-B系烧结磁体，其中所述硼化物形成元素M包括选自由Ti、Zr、Hf、Nb和Cr组成的组中的至少一种元素。

3.根据权利要求1或2所述的R-T-B系烧结磁体，其中所述主相包含四方Nd₂Fe₁₄B相，并且所述硼化物相包含基于六方ZrB₂结构的化合物相，和

所述硼化物相以Nd₂Fe₁₄B(110)[001]//ZrB₂(001)[100]的取向关系在所述主相的晶粒的所述优先生长面上外延生长。

4.根据权利要求1或2所述的R-T-B系烧结磁体，其包括，以质量％计：

总含量为27％～33％的所述稀土类元素R；

含量为0％～5％的Co；

含量为0％～1.0％的Al；

含量为0％～0.5％的Cu；

总含量为0.01％～0.1％的所述硼化物形成元素M；和

含量为0.9％～1.2％的B，

余量为Fe和不可避免的杂质。

5.根据权利要求1或2所述的R-T-B系烧结磁体，其中O、C和N各自的含量为小于1000质量ppm。