[发明专利]晶舟及使用晶舟的炉管机台以及形成膜层的方法

说明书

一种晶舟及使用晶舟的炉管机台以及形成膜层的方法。晶舟包含至少一支撑件、至少一组的至少一第一固定件、至少一组的至少一第二固定件以及至少一组的至少一第三固定件。支撑件沿第一方向延伸。至少一组的至少一第一固定件、至少一组的至少一第二固定件以及至少一组的至少一第三固定件，设置于支撑件上且于第一方向上依序并分开地设置。该组的第一固定件与该组的第二固定件间分隔第一间距，该组的第二固定件与该组的第三固定件间分隔第二间距，其中第一间距小于第二间距。

技术领域

本揭露是关于一种晶舟及使用晶舟的炉管机台以及形成膜层的方法。

背景技术

半导体装置使用于各种电子应用，例如个人电脑、移动电话、数字相机以及其他电子设备。半导体装置的制作通过依序在半导体基板上沉积绝缘或介电层、导电层、半导体层的材料以及使用光刻微影来图案化或处理基板以及/或各种材料层，以形成电路组件与元件于其上，进而形成集成电路。经由调整制程参数而影响并控制这些沉积在半导体基板上的层体的均匀度，其中制程参数例如为晶圆温度、反应室压力、反应气体的流动路径与速率、制程时间或持续时间以及其他因素。期望提供一种针对在晶圆制程机台中沉积层体的解决方案。

发明内容

根据本揭露的部分实施方式，晶舟包含至少一支撑件、至少一组的至少一第一固定件、至少一组的至少一第二固定件以及至少一组的至少一第三固定件。支撑件沿第一方向延伸。至少一组的至少一第一固定件、至少一组的至少一第二固定件以及至少一组的至少一第三固定件，设置于支撑件上且于第一方向上依序并分开地设置。该组的第一固定件与该组的第二固定件间分隔第一间距，该组的第二固定件与该组的第三固定件间分隔第二间距，其中第一间距小于第二间距。

根据本揭露的部分实施方式，炉管机台包含制程容器以及晶舟。制程容器包含反应室、气体入口以及气体出口。反应室具有第一端与相对于反应室的第一端的第二端。气体入口位于反应室的第一端。气体出口位于反应室的第二端。晶舟位于反应室，其中晶舟包含第一固定件、第二固定件以及第三固定件，该第一固定件、该第二固定件以及该第三固定件沿着从反应室的第一端至反应室的第二端的方向依序并分开地设置，其中第一固定件与第二固定件间分隔第一间距，第二固定件与第三固定件间分隔第二间距，其中第一间距小于第二间距。

根据本揭露的部分实施方式，提供一种形成膜层的方法。该方法包含：在腔室中，依序地放置第一晶圆、第二晶圆以及第三晶圆，其中第一晶圆与第二晶圆间分隔第一间距，第二晶圆与第三晶圆间分隔第二间距，其中第一间距小于第二间距；引入至少一制程气体，其中制程气体依序经过腔室中的第一晶圆、第二晶圆以及第三晶圆。

附图说明

根据以下详细说明并配合阅读附图，使本揭露的态样获致较佳的理解。须注意的是，根据业界的标准作法，附图的各种特征并未按照比例绘示。事实上，为了进行清楚的讨论，特征的尺寸可以经过任意的缩放。

图1A是根据本揭露的部分实施方式的垂直炉管机台的示意图；

图1B是根据本揭露的部分实施方式的图1A的垂直炉管机台中的晶舟的剖面示意图；

图1C是根据本揭露的部分实施方式的垂直炉管机台中的晶舟的剖面示意图；

图2A是根据本揭露的部分实施方式的水平炉管机台的示意图；

图2B是根据本揭露的部分实施方式的图2A的水平炉管机台中的晶舟的剖面示意图；

图2C是根据本揭露的部分实施方式的水平炉管机台中的晶舟的剖面示意图；

图2D是根据本揭露的部分实施方式的水平炉管机台中的晶舟的剖面示意图；

图3A至图3M是根据本揭露的部分实施方式的在制程的各个中间阶段的半导体装置的剖面示意图；

图4展示根据本揭露的部分实施方式在晶舟各个位置的多个晶圆上的间隔物的蚀刻速率；