[发明专利]晶舟及使用晶舟的炉管机台以及形成膜层的方法在审
申请号: | 201910795673.3 | 申请日: | 2019-08-27 |
公开(公告)号: | CN110875226A | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 杨文彬;陈丰裕;罗健伦 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/205;C23C16/458 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 炉管 机台 以及 形成 方法 | ||
1.一种晶舟,其特征在于,包含:
至少一支撑件,沿一第一方向延伸;以及
至少一组的至少一第一固定件、至少一组的至少一第二固定件以及至少一组的至少一第三固定件,设置于该支撑件上且于该第一方向上依序并分开地设置,其中该组的该第一固定件与该组的该第二固定件间分隔一第一间距,该组的该第二固定件与该组的该第三固定件间分隔一第二间距,其中该第一间距小于该第二间距。
2.根据权利要求1所述的晶舟,其特征在于,其中该第一固定件、该第二固定件以及该第三固定件是设置于该支撑件上的多个开槽。
3.根据权利要求1所述的晶舟,其特征在于,其中该第一固定件、该第二固定件以及该第三固定件是自该支撑件延伸的多个支撑钉。
4.根据权利要求1所述的晶舟,其特征在于,还包含:
一底板;以及
一顶板,位于该底板上方,其中该支撑件连接于该底板与该顶板之间。
5.一种炉管机台,其特征在于,包含:
一制程容器,包含:
一反应室,其中该反应室具有一第一端与相对于该反应室的该第一端的一第二端;
一气体入口,位于该反应室的该第一端;以及
一气体出口,位于该反应室的该第二端;以及
一晶舟,位于该反应室,其中该晶舟包含一第一固定件、一第二固定件以及一第三固定件,该第一固定件、该第二固定件以及该第三固定件沿着从该反应室的该第一端至该反应室的该第二端的一方向依序并分开地设置,其中该第一固定件与该第二固定件间分隔一第一间距,该第二固定件与该第三固定件间分隔一第二间距,其中该第一间距小于该第二间距。
6.根据权利要求5所述的炉管机台,其特征在于,其中该第一固定件、该第二固定件以及该第三固定件是多个开槽。
7.根据权利要求5所述的炉管机台,其特征在于,其中该晶舟包含一支撑件,且该第一固定件、该第二固定件以及该第三固定件是自该支撑件延伸的多个支撑钉。
8.根据权利要求5所述的炉管机台,其特征在于,其中该气体出口是位于该气体入口的上方。
9.一种形成膜层的方法,其特征在于,包含:
在一腔室中,依序地放置一第一晶圆、一第二晶圆以及一第三晶圆,其中该第一晶圆与该第二晶圆间分隔一第一间距,该第二晶圆与该第三晶圆间分隔一第二间距,其中该第一间距小于该第二间距;
引入至少一制程气体,其中该制程气体依序经过该腔室中的该第一晶圆、该第二晶圆以及该第三晶圆。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,其中引入该制程气体是经由一气体入口引入该制程气体,其中该气体入口与该第一晶圆之间的一第一距离小于该气体入口与该第二晶圆之间的一第二距离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造