[发明专利]一种双面减粘膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910795565.6 申请日: 2019-08-27
公开(公告)号: CN110628355A 公开(公告)日: 2019-12-31
发明(设计)人: 高山;席忠飞;黄韬;齐东东 申请(专利权)人: 深圳市摩码科技有限公司
主分类号: C09J7/30 分类号: C09J7/30;C09J9/02;C09J133/00;C09J167/08;C09J161/06;C09J127/06;C09J4/02;C09J11/08
代理公司: 44372 深圳市六加知识产权代理有限公司 代理人: 孟丽平
地址: 518112 广东省深圳市龙岗区南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 黏胶层 减粘 剥离力 粘膜 丙烯酸 离型膜层 紫外光照 残胶 制备 柔性基材层 紫外光照射 抗静电剂 保护膜 常温下 抗静电 无残胶 粘附体 加热 损伤 剥离
【说明书】:

发明涉及保护膜技术领域,特别是涉及一种双面减粘膜及其制备方法。该双面减粘膜依次包括:第一离型膜层、紫外减粘丙烯酸黏胶层、柔性基材层、热减粘黏胶层和第二离型膜层。其中,紫外减粘丙烯酸黏胶层具有紫外光照前剥离力大、紫外光照后剥离力低和不留残胶的优点,热减粘黏胶层具有常温下剥离力大,高温时剥离力低残胶的优点。本发明制备的双面减粘膜,通过加热和紫外光照射的方式即可轻易剥离,无残胶,且不会对粘附体造成损伤。由于热减粘黏胶层中包括抗静电剂,该双面减粘膜同时具有抗静电的功能。

技术领域

本发明涉及保护膜技术领域,特别是涉及一种双面减粘膜及其制备方法。

背景技术

在大规模集成电路的制造和半导体器件的制造加工过程中,必不可少的基础材料是半导体芯片,半导体芯片是以单晶硅片加工而成的。单晶硅片简称晶圆。在对晶圆材料进行切割、磨削加工时,需要用一种特殊的压敏胶带进行粘结固定起到保护和支撑的作用。加工完毕后,需要把加工好的晶圆切片从固定胶上能轻易的完全剥离下来,且不能影响晶圆材料本身。

使用时具有高粘结强度而通过处理照后又可以迅速彻底的失去粘性的特殊胶带称为减粘胶带。现有技术中的减粘胶带在剥离过程中还存在一定的残胶现象,不利于后续加工工艺的进行。

发明内容

为了克服传统的双面胶带易出现残胶现象的问题,本发明实施方式主要解决的技术问题是提供一种双面减粘膜,通过加热和紫外光照射的方式即可轻易剥离,无残胶,且不会对粘附体造成损伤。

为解决上述技术问题,本发明实施方式采用的一个技术方案是:提供一种双面减粘膜,所述双面减粘膜依次包括:第一离型膜层、紫外减粘丙烯酸胶黏剂层、柔性基材层、热减粘胶黏层和第二离型膜层,所述热减粘胶黏剂中各组分按重量份计为:

可选的,所述紫外减粘丙烯酸胶黏剂中各组分按重量份计为:

可选的,所述树脂为丙烯酸树脂、醇酸树脂、合成脂肪酸树脂、酚醛树脂、聚氯乙烯树脂中的至少一种。

可选的,所述柔性基材层的厚度为50-100μm;

所述第一离型膜层和所述第二离型膜层的厚度为50-75μm;

所述紫外失粘丙烯酸胶黏剂层和所述高温失粘胶黏剂层的厚度为10-20μm。

可选的,所述有机溶剂为乙酸乙酯、乙酸正丁酯、甲苯、乙二胺、乙醇、苯乙烯、全氯乙烯、三氯乙烯、乙烯乙二醇醚和三乙醇胺中的至少一种。

可选的,所述热致失粘微球为聚胺脂、聚酯、聚丙烯氰中的一种。

可选的,所述固化剂为TDI、IPDI、MDI封闭型异氰酸酯固化剂、HDI和IPDI异氰脲酸酯固化剂中的至少一种。

为解决上述技术问题,本发明实施方式采用的另一个技术方案是:提供一种制备所述双面减粘膜的方法,所述制备方法包括如下步骤:

S201:对所述柔性基材的表面进行电晕处理,使所述柔性基材的表面张力增大,所述电晕处理的功率为1.0-5.0KW,运行速度为10-30m/min;

S202:将所述紫外失粘丙烯酸胶黏剂涂覆在所述柔性基材的第一表面,置于70-120℃烘箱中,烘烤100-120s,形成所述紫外失粘丙烯酸胶黏剂层,贴合第一离型膜;

S203:将所述热减粘黏胶剂涂覆在所述柔性基材的第二表面,置于30-60℃烘箱中,烘烤100-120s,待所述热减粘黏胶剂固化后,形成所述热减粘黏胶剂层,贴合第二离型膜。

可选的,制备所述热减粘胶黏剂的方法包括如下步骤:

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