[发明专利]氧化层缺陷现象风险评估测试键及利用其的测试方法

权利要求书

1.一种氧化层缺陷现象风险评估测试键，其特征在于，包括：

多个测试结构，其中每一测试结构包括一栅极区，栅极区位于主体衬底上，栅极区由多个子栅极区按矩阵排列构成，其中每一子栅极区由有源区和位于有源区上的多晶硅构成，主体衬底上包括基极、源极和漏极，栅极区包括栅极，栅极、基极、源极和漏极的通孔引出，并源极、漏极的通孔与栅极的间距为设计规则允许的最小距离；

多个测试结构的基极、源极和漏极分别通过金属线引出后并联连接至同一个测试焊垫PADB，多个测试结构的栅极区分别与一二极管串联之后再分别通过金属线引出后并联连接至同一测试焊垫PADA，并多个测试结构的栅极区分别通过金属线引出后连接至与每一测试结构的栅极区对应的测试焊垫PADx，x从1至n不等，n为测试结构的个数。

2.根据权利要求1所述的氧化层缺陷现象风险评估测试键，其特征在于，设置不同栅极区内的子栅极区的有源区和多晶硅的排布不同。

3.根据权利要求2所述的氧化层缺陷现象风险评估测试键，其特征在于，子栅极区包括有源区和位于有源区上的多晶硅，其中有源区和多晶硅都为块状结构。

4.根据权利要求2所述的氧化层缺陷现象风险评估测试键，其特征在于，子栅极区包括有源区和位于有源区上的多晶硅，其中有源区为块状结构，多晶硅为条状结构。

5.根据权利要求4所述的氧化层缺陷现象风险评估测试键，其特征在于，一条多晶硅与相邻条多晶硅之间符合间距最小原则。

6.根据权利要求2所述的氧化层缺陷现象风险评估测试键，其特征在于，子栅极区包括有源区和位于有源区上的多晶硅，其中多晶硅为块状结构，有源区为条状结构。

7.根据权利要求6所述的氧化层缺陷现象风险评估测试键，其特征在于，有源区与多晶硅不重叠部分的宽度符合间距最小原则。

8.根据权利要求1所述的氧化层缺陷现象风险评估测试键，其特征在于，每一子栅极区构成一方形结构，具有一长和宽，其中长和宽的取值范围为1um至30um之间的任一值。

9.根据权利要求2所述的氧化层缺陷现象风险评估测试键，其特征在于，每一子栅极区构成一方形结构，具有一长和宽，其中长和宽的取值范围为1um至30um之间的任一值。

10.根据权利要求1、2、8或9任一项所述的氧化层缺陷现象风险评估测试键，其特征在于，每一栅极区在X轴方向上包括c个子栅极区，在与X轴垂直的Y轴上包括d个子栅极区，其中c的取值范围为1至30之间的任一值，d的取值范围为1至30之间的任一值。

11.根据权利要求10所述的氧化层缺陷现象风险评估测试键，其特征在于，每一栅极区在X轴方向上的子栅极区的个数等于Y轴上的个子栅极区的个数。

12.根据权利要求10所述的氧化层缺陷现象风险评估测试键，其特征在于，每一栅极区在X轴方向上的子栅极区的个数不等于Y轴上的个子栅极区的个数。

13.一种利用权利要求1所述的氧化层缺陷现象风险评估测试键的测试方法，其特征在于，包括：

S1：获得一预设电流作为氧化层缺陷风险的判断依据，然后将PADB接地，在PADA和PADB之间加电压，并由低到高逐步升高施加在PADA和PADB之间的电压，直至测得的漏电流达到了预设电流，记录此时施加在PADA和PADB之间的电压Vbd，测试结束；

S2：判断电压Vbd，若电压Vbd大于或等于预设值，则被测试键不存在缺陷问题，若电压Vbd小于预设值，则被测试键存在缺陷问题。