[发明专利]一种抗辐射加固衬底结构有效
| 申请号： | 201910785364.8 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN110491861B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 王颖 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京盛询知识产权代理有限公司 11901 | 代理人： | 张海青 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 辐射 加固 衬底 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种抗辐射加固衬底结构，其特征在于：包括由下到上依次层叠设置的基底、N型宽禁带半导体层、第一P型掺杂层、P型外延层，所述的基底为单一P型底层或混合层，所述混合层包括第二P型掺杂层、P型底层；
所述N型宽禁带半导体层处于全耗尽状态，所述N型宽禁带半导体层与所述的基底构成异质结结构；
所述单一P型底层掺杂浓度大于1×1018cm-3；
所述第二P型掺杂层在P型底层上方，掺杂浓度大于1×1018cm-3，厚度大于200nm；
所述的N型宽禁带半导体层为禁带宽度大于硅的材料，厚度范围10～300nm，浓度范围1×1015～1×1017cm-3；
所述第一P型掺杂层，掺杂浓度大于1×1018cm-3，厚度大于200nm；
所述P型外延层，掺杂浓度大于1×1015，厚度大于1μm。
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