[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底：

位于所述衬底一侧的多层半导体层；

位于所述多层半导体层远离所述衬底一侧的P型外延层；

位于所述P型外延层远离所述多层半导体层一侧的阳极以及位于所述多层半导体层远离所述衬底一侧的阴极，其中，所述阳极在所述衬底上的垂直投影与所述P型外延层在所述衬底上的垂直投影至少部分交叠。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述多层半导体层远离所述衬底一侧，且位于所述P型外延层与所述阴极之间的钝化层；

沿第一方向，所述P型外延层的厚度h1满足20nm≤h1≤70nm；所述钝化层的厚度h2满足40nm≤h2≤90nm；其中，所述第一方向与所述衬底的垂直方向平行。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，沿第二方向，所述P型外延层与所述钝化层之间的距离L1满足L1＝0；其中，所述第二方向与所述阳极指向所述阴极的方向平行。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，沿第二方向，所述P型外延层与所述钝化层之间的距离L1满足0.4μm≤L1≤1μm；其中，所述第二方向与所述阳极指向所述阴极的方向平行；

所述阳极包括位于所述P型外延层远离所述衬底一侧的第一阳极分部以及位于所述P型外延层与所述钝化层之间的第二阳极分部，所述第二阳极分部与所述多层半导体层形成肖特基接触。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，靠近所述P型外延层一侧的所述钝化层覆盖部分所述P型外延层，且沿第二方向，所述钝化层覆盖所述P型外延层的部分的延伸长度L2满足0.4μm≤L2≤1μm；其中，所述第二方向与所述阳极指向所述阴极的方向平行。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述钝化层远离所述衬底一侧的阳极场板，所述阳极场板与所述阳极电连接；

沿所述第一方向，所述P型外延层的厚度h1与所述钝化层的厚度h2满足5nm≤h2-h1≤60nm；

沿第二方向，所述阳极场板的延伸长度L3满足0.4μm≤L3≤2μm；其中，所述第二方向与所述阳极指向所述阴极的方向平行。

7.根据权利要求1-6任一项所述的半导体器件，其特征在于，沿第二方向，所述P型外延层连续设置；

或者，沿所述第二方向，所述P型外延层包括多个间隔设置的第一P型外延层分块；所述阳极包括位于所述第一P型外延层分块远离所述衬底一侧的第一阳极分部以及位于相邻两个所述第一P型外延层分块之间的第三阳极分部，所述第三阳极分部与所述多层半导体层形成肖特基接触；

其中，所述第二方向与所述阳极指向所述阴极的方向平行。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，沿所述第二方向，所述第一P型外延层分块的延伸长度L4满足0.1μm≤L4≤0.5μm；

相邻两个所述第一P型外延层分块之间的距离L5满足0.3μm≤L5≤0.5μm。

9.根据权利要求1-6任一项所述的半导体器件，其特征在于，沿第三方向，所述P型外延层连续设置；

或者，沿所述第三方向，所述P型外延层包括多个间隔设置的第二P型外延层分块；所述阳极包括位于所述第二P型外延层分块远离所述衬底一侧的第一阳极分部以及位于相邻两个所述第二P型外延层分块之间的第四阳极分部，所述第四阳极分部与所述多层半导体层形成肖特基接触；

其中，所述第三方向与所述衬底所在平面平行且与所述阳极指向所述阴极的方向垂直。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述P型外延层的掺杂浓度n满足1×10¹⁹cm^-3≤n≤5×10¹⁹cm^-3。

11.一种半导体器件的制备方法，用于制备权利要求1-10任一项所述的半导体器件，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底一侧制备多层半导体层；

在所述多层半导体层远离所述衬底的一侧制备P型外延层；

在所述P型外延层远离所述多层半导体层的一侧制备阳极以及在所述多层半导体层远离所述衬底的一侧制备阴极，其中，所述阳极在所述衬底上的垂直投影与所述P型外延层在所述衬底上的垂直投影至少部分交叠。