[发明专利]一种阵列基板及其制备方法有效
| 申请号: | 201910776269.1 | 申请日: | 2019-08-22 |
| 公开(公告)号: | CN110581141B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
| 发明(设计)人: | 卢改平;杨祖有 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/82 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 | ||
本发明提供一种阵列基板,其包括基板、设置于基板上的多层膜层以及贯穿至少两层膜层的开孔,开孔所贯穿的膜层在所述开孔处的边缘位于同一平面。形成开孔时,依据各预设膜层上的孔洞的孔偏距尺寸偏差,调整形成各预设膜层上的孔洞的孔间距,从而使得形成的各预设膜层上的孔洞的边界位于同一平面,从而防止位于不同层别的膜层之间形成台阶状的结构,使得配向膜层位于开孔内的部分均匀分布,有效防止配向膜层在开孔内多处堆积导致开孔处透光率降低。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。
背景技术
目前,为了增大显示面板中与摄像头等感光元件对应区域处的透光率,如图1和图2所示,一般会在阵列基板上与感光元件对应区域处进行蚀刻挖孔11,挖去阵列基板上与感光元件对应区域处的各膜层,从而增大透光率。
然而,对各膜层进行多次蚀刻挖孔11时,不同层别的膜层之间会形成台阶,涂布聚酰亚胺层12时,台阶处存在多处聚酰亚胺堆积,导致孔区域处的透光率降低。
发明内容
本发明提供一种阵列基板,以解决不同层别的膜层之间会形成台阶,涂布聚酰亚胺层时,台阶处存在多处聚酰亚胺堆积,导致孔区域处的透光率降低的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
一种阵列基板,其包括基板、设置于所述基板上的多层膜层以及贯穿至少两层所述膜层的开孔,所述开孔所贯穿的所述膜层在所述开孔处的边缘位于同一平面。
进一步的,所述开孔的纵截面的两条侧边界所对应的直线均垂直于所述基板所对应的平面或均与所述基板所对应的平面具有预定夹角。
进一步的,所述开孔的纵截面的一条侧边界所对应的直线垂直于所述基板所对应的平面,另一条侧边界所对应的直线与所述基板所对应的平面具有预定夹角。
进一步的,所述开孔的纵截面呈方形或梯形。
进一步的,多层所述膜层中被所述开孔贯穿的第一膜层、第二膜层和第三膜层依次层叠。
进一步的,所述第一膜层、所述第二膜层和所述第三膜层在所述开孔处的边缘均位于同一平面。
进一步的,所述第三膜层的边缘覆盖所述第二膜层的边缘,所述第一膜层与所述第三膜层在所述开孔处的边缘位于同一平面。
进一步的,多层所述膜层中的层间绝缘层、平坦层以及钝化层依次层叠。
本发明还提供一种阵列基板的制备方法,包括以下步骤:
S10、提供一基板;
S20、在所述基板上依次层叠形成多层膜层,每形成一层预设膜层后,在该预设膜层上的预设位置处形成孔洞,各预设膜层上的孔洞同轴心线设置,至少两层预设膜层上的孔洞相互连通形成开孔,预设膜层在所述开孔处的边缘位于同一平面。
进一步的,在所述步骤S20中,根据各预设膜层中孔洞的尺寸偏差和孔偏距在预设膜层上形成预设孔径的孔洞。
本发明的有益效果为:形成开孔时,依据各预设膜层上的孔洞的孔偏距尺寸偏差,调整形成各预设膜层上的孔洞的孔间距,从而使得形成的各预设膜层上的孔洞的边界位于同一平面,从而防止位于不同层别的膜层之间形成台阶状的结构,使得配向膜层位于开孔内的部分均匀分布,有效防止配向膜层在开孔内多处堆积导致开孔处透光率降低。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明背景技术中阵列基板的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





