[发明专利]一种阵列基板及其制备方法有效
| 申请号: | 201910776269.1 | 申请日: | 2019-08-22 |
| 公开(公告)号: | CN110581141B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
| 发明(设计)人: | 卢改平;杨祖有 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/82 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括基板、设置于所述基板上的多层膜层、配向膜层以及贯穿至少两层所述膜层的开孔,所述开孔所贯穿的所述膜层在所述开孔处的边缘位于同一平面,其中所述开孔是所述阵列基板与感光元件对应区域处,而且所述配向膜层设置于所述膜层上且部分位于所述开孔中;
所述开孔的侧壁与底壁之间形成的夹角为钝角。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述开孔的纵截面的一条侧边界所对应的直线垂直于所述基板所对应的平面,另一条侧边界所对应的直线与所述基板所对应的平面具有预定夹角。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述开孔的纵截面呈梯形。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,多层所述膜层中被所述开孔贯穿的第一膜层、第二膜层和第三膜层依次层叠。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一膜层、所述第二膜层和所述第三膜层在所述开孔处的边缘均位于同一平面。
6.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第三膜层的边缘覆盖所述第二膜层的边缘,所述第一膜层与所述第三膜层在所述开孔处的边缘位于同一平面。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,多层所述膜层中的层间绝缘层、平坦层以及钝化层依次层叠。
8.一种如权利要求1所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S10、提供一基板;
S20、在所述基板上依次层叠形成多层膜层,每形成一层预设膜层后,在该预设膜层上的预设位置处形成孔洞,各预设膜层上的孔洞同轴心线设置,至少两层预设膜层上的孔洞相互连通形成开孔,预设膜层在所述开孔处的边缘位于同一平面。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,在所述步骤S20中,根据各预设膜层中孔洞的尺寸偏差和孔偏距在预设膜层上形成预设孔径的孔洞。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





