[发明专利]多层结构的制备方法

说明书

本公开提供一种多层结构的制备方法，包括下列步骤。具有一图案层的一基底位于一反应器中。一金属前驱物被引入反应器中，其中金属前驱物被图案层所吸收。通过抽出过量的金属前驱物，以从反应器清除过量的金属前驱物。一反应物被引入反应器中，其中反应物与金属前驱物相互反应以在图案层上形成一含金属层。

技术领域

本公开主张2018/12/19申请的美国临时申请案第62/782,049号及2019/03/28申请的美国正式申请案第16/368,106号的优先权及益处，该美国临时申请案及该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

背景技术

在半导体及光伏产业中，二氧化硅为已知用来当作钝化材料(passivationmaterial)，而钝化材料导致在表面重组中的明显减少。可在温度900℃中以湿式热氧化法(wet thermal oxidation)或者在氧气环境下温度850℃到1000℃之间以干式氧化法显影一高品质的二氧化硅层。然而，如此高温通常不适合光伏装置的制造。因此，发展出其他方法，例如以化学气相沉积法(CVD)从TEOS结合氧所显影出二氧化硅。而化学气相沉积法的一些缺点在控制层厚度是困难的，且其结果缺乏膜的高均匀性(film homogeneity)。而其他的缺点则是化学气相沉积法的二氧化硅的相对缺乏的钝化。针对这些理由，对于二氧化硅沉积而言，原子层沉积法(ALD)为一优选方法，其允许高均匀性层的沉积，且同时显现良好的钝化特性(good passivation properties)。

虽然二氧化硅具有钝化能力，但现在正在考虑氧化铝的钝化(Al₂O₃passivation)。类似于二氧化硅层，氧化铝的最新研究是证明在沉积期间，自然地以氢(hygrogen)充实氧化铝层。氧化铝是包含氢的一合理的层，也因此不需完全地将氢(H₂)加到氮(N₂)中。

上文的“现有技术”说明仅提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明公开本揭露的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开的一实施例提供一种多层结构的制备方法，包括在一反应器中沉积一基底，该基底具有一图案层；将一金属前驱物引入该反应器中，其中该金属前驱物被该图案层吸收；通过抽出一过量金属前驱物，以将该过量金属前驱物从该反应器清除；以及将一反应物引入该反应器中，其中该反应物与该金属前驱物相互反应，以在该图案层上形成一含金属层。

依据本公开的一些实施例，该制备方法还包括重复该金属前驱物引入步骤、该过量金属前驱物清除步骤，以及该反应物引入步骤，直至该多层结构具有一期望厚度。

依据本公开的一些实施例，在该反应物引入步骤中被引入的该反应物，与每一次重复的该反应物引入步骤的反应物相同。

依据本公开的一些实施例，在该反应物引入步骤中被引入的该反应物，与不同的重复的该反应物引入步骤的反应物不同。

依据本公开的一些实施例，该金属前驱物包括一含铪(Hf-containing)化合物或一含锆(Zr-containing)化合物。

依据本公开的一些实施例，该反应物包括一含氧(oxygen-containing)化合物。

依据本公开的一些实施例，该反应物包括一含氮(nitrogen-containing)化合物。

依据本公开的一些实施例，该反应物包括一含氧及氮(containing oxygen andnitrogen)的化合物。

依据本公开的一些实施例，在该图案层上的该含金属层包括一金属，该金属与包含在该金属前驱物中的金属相同。

依据本公开的一些实施例，该图案层由将一光刻胶层暴露在一图案化辐射下，并显影出该已暴露的光刻胶层所形成。