[发明专利]多层结构的制备方法在审
申请号: | 201910773534.0 | 申请日: | 2019-08-21 |
公开(公告)号: | CN111341644A | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 周良宾 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 谢强;黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 结构 制备 方法 | ||
1.一种多层结构的制备方法,包括:
在一反应器中沉积一基底,该基底具有一图案层;
将一金属前驱物引入该反应器中,其中该金属前驱物被该图案层吸收;
通过抽出一过量金属前驱物,以将该过量金属前驱物从该反应器清除;以及
将一反应物引入该反应器中,其中该反应物与该金属前驱物相互反应,以在该图案层上形成一含金属层。
2.如权利要求1所述的制备方法,还包括重复该金属前驱物引入步骤、该过量金属前驱物清除步骤,以及该反应物引入步骤,直至该多层结构具有一期望厚度。
3.如权利要求2所述的制备方法,其中在该反应物引入步骤中被引入的该反应物,与每一次重复的该反应物引入步骤的反应物相同。
4.如权利要求2所述的制备方法,其中在该反应物引入步骤中被引入的该反应物,与不同的重复的该反应物引入步骤的反应物不同。
5.如权利要求1所述的制备方法,其中该金属前驱物包括一含铪化合物或一含锆化合物。
6.如权利要求1所述的制备方法,其中该反应物包括一含氧化合物。
7.如权利要求1所述的制备方法,其中该反应物包括一含氮化合物。
8.如权利要求1所述的制备方法,其中该反应物包括一含氧及氮的化合物。
9.如权利要求1所述的制备方法,其中在该图案层上的该含金属层包括一金属,该金属与包含在该金属前驱物中的金属相同。
10.如权利要求1所述的制备方法,其中该图案层由将一光刻胶层暴露在一图案化辐射下,并显影暴露的该光刻胶层所形成。
11.一种多层结构的制备方法,包括:
在一反应器中沉积一基底,该基底具有一图案层,其中该基底包括有一碳硬遮罩层以及一氮氧化硅层;
将一金属前驱物引入该反应器中,其中该金属前驱物被该图案层所吸收;
通过抽出一过量金属前驱物,以将该过量金属前驱物从该反应器清除;以及
将一反应物引入该反应器中,其中该反应物与该金属前驱物相互反应,以在该图案层上形成一含金属层。
12.如权利要求11所述的制备方法,还包括重复该金属前驱物引入步骤、该过量金属前驱物清除步骤,以及该反应物引入步骤,直至该多层结构具有一期望厚度。
13.如权利要求12所述的制备方法,其中该反应物引入步骤中被引入的该反应物,与每一次重复的该反应物引入步骤的反应物相同。
14.如权利要求12所述的制备方法,其中在该反应物引入步骤中被引入的该反应物,与不同的重复的该反应物引入步骤的反应物不同。
15.如权利要求11所述的制备方法,其中该金属前驱物包括一含铪化合物或一含锆化合物。
16.如权利要求11所述的制备方法,其中该反应物包括一含氧化合物。
17.如权利要求11所述的制备方法,其中该反应物包括一含氮化合物。
18.如权利要求11所述的制备方法,其中该反应物包括一含氧及氮的化合物。
19.如权利要求11所述的制备方法,其中在该图案层上的该含金属层包括一金属,该金属与包含在该金属前驱物中的金属相同。
20.如权利要求11所述的制备方法,其中该图案层由将一光刻胶层暴露在一图案化辐射下,并显影出已暴露的该光刻胶层所形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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