[发明专利]阵列基板及OLED显示装置有效
申请号: | 201910771653.2 | 申请日: | 2019-08-21 |
公开(公告)号: | CN110473883B | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 杜鹏 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 oled 显示装置 | ||
本发明提供一种阵列基板,包括阵列分布的子像素,相邻两列子像素之间设置有数据线和电源信号线;其中,所述数据线与所述电源信号线制备于不同的膜层表面,且所述数据线与所述电源信号线至少部分重叠。相应地,本发明还提供一种包括所述阵列基板的OLED显示装置。本发明所述阵列基板与现有技术的阵列基板相比,具有较高的开口率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及OLED显示装置。
背景技术
OLED面板已经逐渐应用在大尺寸面板领域中,尤其是底发光(Bottom Emission)的结构,这样制程相对简单,成本也能得到有效的控制。
与TFT-LCD的像素相比,OLED的像素更加复杂,像素中的不发光器件较多,尤其是子像素之间的竖直线路的分布密集,占用了很大的面积,这样会造成像素的开口率偏低,进而导致显示装置的亮度低、功耗大,不利于产品的竞争力。
因此,提高OLED像素的开口率是业内亟待解决的问题。
发明内容
本发明提供一种阵列基板,通过减小像素在竖直方向被线路占用的面积,从而能够提高开口率,以此解决现有显示装置中的竖直线路密集造成开口率偏低而影响显示装置的亮度和功耗的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种阵列基板,包括阵列分布的子像素,相邻两列子像素之间设置有数据线和电源信号线;
其中,所述数据线与所述电源信号线制备于不同的膜层表面,且所述数据线与所述电源信号线至少部分重叠。
根据本发明一优选实施例,所述数据线设置于所述阵列基板上,所述电源信号线制备于所述阵列基板的背侧,且与所述数据线对位设置,所述电源信号线的信号输入端延伸至绑定区域,通过开设于所述阵列基板的通孔与控制芯片电性连接。
根据本发明一优选实施例,所述数据线与所述电源信号线的延伸方向相同。
根据本发明一优选实施例,所述阵列基板的每个子像素包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、扫描线、阴极信号线、所述数据线、所述电源信号线以及一存储电容;
其中,所述第一薄膜晶体管的栅极电连接于所述扫描线,源极电连接于所述数据线;
所述第二薄膜晶体管的栅极电连接于所述第一薄膜晶体管的漏极,源极电连接于所述电源信号线,漏极电连接于所述OLED的阳极;
所述OLED的阴极电连接于所述阴极信号线;
所述存储电容电连接于所述第二薄膜晶体管的栅极与漏极。
根据本发明一优选实施例,每一列所述子像素对应一条所述数据线与一条所述电源信号线。
根据本发明一优选实施例,所述阵列基板还包括与所述电源信号线平行设置的补偿信号线,所述补偿信号线与所述数据线至少部分重叠,所述补偿信号线与所述数据线的延伸方向相同。
根据本发明一优选实施例,所述补偿信号线制备于所述阵列基板的背侧,且与所述电源信号线交替设置。
根据本发明一优选实施例,所述阵列基板的一个子像素包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、扫描线、阴极信号线、所述数据线、所述电源信号线、所述补偿信号线以及一存储电容;其相邻子像素包括第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、扫描线、阴极信号线、所述数据线、所述电源信号线、所述补偿信号线以及一存储电容;
其中,所述第一薄膜晶体管的栅极电连接于所述扫描线,源极电连接于所述N级数据线;
所述第二薄膜晶体管的栅极电连接于所述第一薄膜晶体管的漏极,源极电连接于所述N级电源信号线,漏极电连接于所述OLED的阳极;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的