[发明专利]阵列基板及OLED显示装置有效

专利信息
申请号: 201910771653.2 申请日: 2019-08-21
公开(公告)号: CN110473883B 公开(公告)日: 2021-01-01
发明(设计)人: 杜鹏 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L27/32
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 阵列 oled 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括阵列分布的子像素,相邻两列子像素之间设置有数据线和电源信号线;以及

补偿信号线,所述补偿信号线与所述电源信号线平行设置;

其中,所述数据线与所述电源信号线制备于不同的膜层表面,且所述数据线与所述电源信号线至少部分重叠,所述数据线与所述补偿信号线至少部分重叠,所述补偿信号线与所述数据线的延伸方向相同且所述补偿信号线与所述电源信号线间隔排列。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述数据线设置于所述阵列基板上,所述电源信号线制备于所述阵列基板的背侧,且与所述数据线对位设置,所述电源信号线的信号输入端延伸至绑定区域,通过开设于所述阵列基板的通孔与控制芯片电性连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述数据线与所述电源信号线的延伸方向相同。

4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板的每个子像素包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、扫描线、阴极信号线、所述数据线、所述电源信号线以及一存储电容;

其中,所述第一薄膜晶体管的栅极电连接于所述扫描线,源极电连接于所述数据线;

所述第二薄膜晶体管的栅极电连接于所述第一薄膜晶体管的漏极,源极电连接于所述电源信号线,漏极电连接于OLED的阳极;

所述OLED的阴极电连接于所述阴极信号线;

所述存储电容电连接于所述第二薄膜晶体管的栅极与漏极。

5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,每一列所述子像素对应一条所述数据线与一条所述电源信号线。

6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述补偿信号线制备于所述阵列基板的背侧,且与所述电源信号线交替设置。

7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板的一个子像素包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、扫描线、阴极信号线、所述数据线、所述电源信号线、所述补偿信号线以及一存储电容;其相邻子像素包括第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、扫描线、阴极信号线、所述数据线、所述电源信号线、所述补偿信号线以及一存储电容;

其中,所述第一薄膜晶体管的栅极电连接于所述扫描线,源极电连接于N级数据线;

所述第二薄膜晶体管的栅极电连接于所述第一薄膜晶体管的漏极,源极电连接于N级电源信号线,漏极电连接于OLED的阳极;

所述OLED的阴极电连接于所述阴极信号线;

所述第三薄膜晶体管的栅极电连接于所述扫描线,源极电连接于所述补偿信号线,漏极电连接于所述第二薄膜晶体管的漏极;

所述第四薄膜晶体管的栅极电连接于所述扫描线,源极电连接于N+1级数据线;

所述第五薄膜晶体管的栅极电连接于所述第四薄膜晶体管的漏极,源极电连接于N+1级电源信号线,漏极电连接于所述OLED的阳极;

所述第六薄膜晶体管的栅极电连接于所述扫描线,源极电连接于所述补偿信号线,漏极电连接于所述第五薄膜晶体管的漏极;

所述存储电容电连接于所述第二薄膜晶体管的栅极和漏极或电连接于所述第五薄膜晶体管的栅极和漏极;

两个相邻的所述子像素共用一条所述补偿信号线。

8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,每一列所述子像素对应一条所述数据线,每两列所述子像素对应一条所述电源信号线或所述补偿信号线。

9.一种OLED显示装置,其特征在于,所述OLED显示装置包括有阵列基板,所述阵列基板为权利要求1-8任一所述的阵列基板。

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