[发明专利]半导体装置

说明书

本说明书所公开的半导体装置具备半导体元件和配置有半导体元件的层压基板。层压基板具有：绝缘基板、位于该绝缘基板的一侧的第一导体层、以及位于该绝缘基板的另一侧并且体积比第一导体层小的第二导体层。相比第一导体层的材料和第二导体层的材料，绝缘基板的材料的线膨胀系数小、且刚性高。另外，在绝缘基板的一侧设置有沿第一导体层的侧面突出的突出部。

技术领域

本说明书所公开的技术涉及半导体装置。

背景技术

在日本特开2013-074254号公报中公开了一种半导体装置。该半导体装置具备半导体元件和配置有半导体元件的层压基板。层压基板具有绝缘基板和被设置在绝缘基板的双面的导体层。

发明内容

一般而言，在半导体装置中，伴随着通电而其温度上升，与其温度上升相应的热膨胀在各个构成部件中产生。此时，在层压基板中，夹着绝缘基板对置的两个导体层分别热膨胀，有时在层压基板上产生弯曲。特别是，如果两个导体层的体积互不相同，则不同大小的力从热膨胀的各个导体层作用于被夹持于两个导体层的绝缘基板。在该情况下，绝缘基板(即，层压基板)可能发生较大的弯曲。特别是，相比各个导体层，绝缘基板的线膨胀系数小、且刚性高。因此，如果绝缘基板产生大的弯曲，则绝缘基板的内部有可能会产生过大的应力。因此，本说明书提供一种可降低在绝缘基板(即，层压基板)上产生的弯曲的技术。

本说明书所公开的半导体装置具备半导体元件和配置有半导体元件的层压基板。层压基板具有：绝缘基板、位于该绝缘基板的一侧的第一导体层、以及位于该绝缘基板的另一侧并且体积比第一导体层小的第二导体层。相比第一导体层的材料和第二导体层的材料，绝缘基板的材料的线膨胀系数小、且刚性高。另外，在绝缘基板的一侧设置有沿第一导体层的侧面突出的突出部。

在上述的半导体装置中，在绝缘基板的一侧设置有沿第一导体层的侧面突出的突出部。由于相比第一导体层，绝缘基板的线膨胀系数小、刚性也高，因此能够通过绝缘基板的突出部抑制第一导体层的热膨胀。特别地，由于第一导体层的体积比第二导体层的体积大，因此第一导体层可能产生比第二导体层更大的热膨胀。因此，通过抑制热膨胀较大的第一导体层的热膨胀，降低了因两个导体层的热膨胀差引起的绝缘基板的弯曲。

附图说明

图1是示出本实施例的半导体装置10的外观的俯视图。

图2是图1的II-II线中的剖视图。

图3是省略封装体16而示出半导体装置10的内部结构的分解图。

图4是示出半导体装置10的电路结构的电路图。

图5是示出第一层压基板20的第一内侧导体层26的上表面立体图。

图6是示出第一层压基板20的第一外侧导体层24的下表面立体图。

图7是示出第二层压基板30的第二内侧导体层36的上表面立体图。

图8是示出第三层压基板40的第三内侧导体层46的上表面立体图。

图9是省略了封装体16的图2的IX部的放大图。

图10的A-D是示出突出部22a的变形例的剖视图。

图11的A-C是示出突出部22a的变形例的仰视图。

图12的A-B是示出突出部22a的变形例的仰视图。

具体实施方式

在本技术的一个实施方式中，当俯视层压基板时，第一导体层具有多边形形状，所述多边形形状具有多个角部，多个角部的各个角部可以与突出部接触。在第一导体层的角部特别容易发生应力集中。通过对这样的第一导体层的角部设置突出部，能够有效地降低绝缘基板上产生的弯曲。