[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体元件；以及

配置有所述半导体元件的层压基板，

所述层压基板具有：绝缘基板、位于所述绝缘基板的一侧的第一导体层、以及位于所述绝缘基板的另一侧并且体积比所述第一导体层小的第二导体层，

相比于所述第一导体层的材料和所述第二导体层的材料，所述绝缘基板的材料的线膨胀系数小且刚性高，

在所述绝缘基板的所述一侧设置有沿所述第一导体层的侧面突出的突出部。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

当俯视所述层压基板时，所述第一导体层具有多边形形状，所述多边形形状具有多个角部，所述多个角部的各个与所述突出部接触。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

当俯视所述层压基板时，所述突出部具有与所述角部接触的第一部分和从所述第一部分沿所述第一导体层的外周缘延伸的第二部分，

关于与沿所述第一导体层的外周缘的方向垂直的剖面，所述第一部分的剖面积大于第二部分的剖面积。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其中，

当俯视所述层压基板时，所述突出部在所述第一导体层的整个外周缘连续地延伸，以包围所述第一导体层。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体装置，其中，

当俯视所述层压基板时，所述突出部的至少一部分比所述第二导体层的外周缘位于更外侧。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体装置，其中，

所述突出部的高度与所述第一导体层的高度实质上相等。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的半导体装置，其中，

所述绝缘基板由陶瓷材料构成。