[发明专利]具有矩形轮廓的间隔件及其制造方法

说明书

一种方法，包括在图案化部件的顶面和侧壁上形成间隔件层，其中，图案化部件在基础层的上面。形成保护层以接触间隔件层的顶面和侧壁表面。保护层的水平部分被移除，其中，在移除之后保留保护层的垂直部分。间隔件层被蚀刻以移除间隔件层的水平部分，其中，间隔件层的垂直部分保留来形成间隔件的部分。本发明还提供具有矩形轮廓的间隔件及其制造方法。

本申请是于2014年12月05日提交的申请号为201410738338.7的题为“具有矩形轮廓的间隔件及其制造方法”的中国发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及具有矩形轮廓的间隔件及其制造方法。

背景技术

间隔件为制造集成电路中使用的共同部件，并用在包括晶体管的形成的前段制程工艺中以及用在包括连接晶体管的金属连接件的形成的后段制程工艺中。例如，晶体管通常具有位于晶体管的栅电极上的栅极间隔件。栅极间隔件将栅电极与其它导电部件电隔离。此外，栅极间隔件被用以限定晶体管的源极区域的位置和漏极区域的位置。

发明内容

一方面，本发明提供一种方法，包括：

在图案化部件的顶面和侧壁上形成间隔件层，其中，所述图案化部件在基础层的上面；

形成接触所述间隔件层的顶面和侧壁表面的保护层；

移除所述保护层的水平部分，其中，在所述移除之后保留所述保护层的垂直部分；以及

蚀刻所述间隔件层以移除所述间隔件层的水平部分，其中，所述间隔件层的垂直部分保留来形成间隔件的部分。

优选地，形成所述保护层包括执行氮化以将所述间隔件层的表面层转化成所述保护层。

优选地，形成所述保护层包括执行氧化以将所述间隔件层的表面层转化成所述保护层。

优选地，形成所述保护层包括将所述保护层沉积在所述间隔件层的上方，并且用于所述沉积的工艺气体包括CH₄和N₂。

优选地，形成所述保护层包括将所述保护层沉积在所述间隔件层的上方，并且用于所述沉积的工艺气体包括CH₂F₂。

优选地，所述方法进一步包括：

在蚀刻所述间隔件层之后，移除所述图案化部件；

蚀刻所述基础层以在所述基础层中形成沟道，其中，所述间隔件被用作蚀刻掩模；以及

填充与所述基础层的材料不同的材料来在所述沟道中形成部件。

优选地，所述图案化部件包括栅极电介质和位于所述栅极电介质上方的栅电极，并且所述基础层包括半导体衬底。

第二方面，本发明提供一种方法，包括：

在图案化部件的顶面和侧壁上形成间隔件层，其中，所述图案化部件在基础层的上面；

使所述间隔件层的表面层与工艺气体起反应以产生保护层，其中，所述间隔件层的底层保持不与所述工艺气体反应；

采用第一蚀刻气体移除所述保护层的水平部分，其中，在所述移除之后保留所述保护层的垂直部分；以及

采用与所述第一蚀刻气体不同的第二蚀刻气体来蚀刻所述间隔件层以移除所述间隔件层的水平部分，其中，所述间隔件层的垂直部分保留以形成所述间隔件的部分。

优选地，在蚀刻所述间隔件层之后，所述保护层的垂直部分保留来与所述间隔件层的所述垂直部分形成所述间隔件。