[发明专利]具有矩形轮廓的间隔件及其制造方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

在图案化部件的第一顶面和侧壁上形成间隔件层，其中，所述图案化部件在基础层的上面，其中，所述间隔件层包括直接在所述基础层上的第一水平部分，并且所述第一水平部分覆盖所述基础层的整个顶面，所述整个顶面位于所述图案化部件和相邻的图案化部件之间；

形成接触所述间隔件层的第二顶面和侧壁表面的保护层，其中，所述保护层包括位于所述第一水平部分上方的第二水平部分；

移除所述保护层的第二水平部分，其中，在所述移除之后保留所述保护层的垂直部分；

使用所述保护层的所述保留的垂直部分作为蚀刻掩模来蚀刻所述间隔件层以移除所述间隔件层的所有水平部分，其中，所述间隔件层的所述垂直部分与所述保护层的所述保留的垂直部分保留为共同形成间隔件；

在蚀刻所述间隔件层之后，移除所述图案化部件；蚀刻所述基础层和所述保护层的所述垂直部分以在所述基础层中形成沟道，其中，所述间隔件被用作蚀刻掩模，

用金属填充所述沟道；以及

去除所述间隔件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述保护层包括执行氮化以将所述间隔件层的表面层转化成所述保护层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述保护层包括执行氧化以将所述间隔件层的表面层转化成所述保护层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述保护层包括将所述保护层沉积在所述间隔件层的上方，并且用于所述沉积的工艺气体包括CH₄和N₂。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述保护层包括将所述保护层沉积在所述间隔件层的上方，并且用于所述沉积的工艺气体包括CH₂F₂。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

填充与所述基础层的材料不同的材料来在所述沟道中形成部件。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案化部件包括栅极电介质和位于所述栅极电介质上方的栅电极，并且所述基础层包括半导体衬底。

8.一种形成半导体器件的方法，包括：

在图案化部件的顶面和侧壁上形成间隔件层，其中，所述图案化部件在基础层的上面，所述间隔件层包括：

顶部部分，位于所述图案化部件的第一图案化部件和第二图案化部件的顶面上；

垂直部分，位于所述第一图案化部件和第二图案化部件的相对侧壁上；以及

第一水平部分，所述第一水平部分具有接触基础层的顶面的底面，其中，所述第一水平部分从所述第一图案化部件延伸至所述第二图案化部件；

使所述间隔件层的表面层与工艺气体起反应以产生保护层，其中，所述间隔件层的底层保持不与所述工艺气体反应；

采用第一蚀刻气体移除所述保护层的水平部分，其中，在所述移除之后保留所述保护层的垂直部分；以及

采用与所述第一蚀刻气体不同的第二蚀刻气体，使用所述保护层的垂直部分作为蚀刻掩模来蚀刻所述间隔件层以移除所述间隔件层的所述顶部部分中的所述底层的部分，其中，所述间隔件层的垂直部分的保留部分与所述保护层的垂直部分保留为共同形成掩模

在蚀刻所述间隔件层之后，移除所述第一图案化部件和第二图案化部件；以及

使用所述掩模作为蚀刻掩模来蚀刻所述基础层以在所述基础层中形成沟道；

移除所述间隔件层的所述垂直部分的所述保留部分和所述保护层的所述垂直部分。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，使所述间隔件层的所述表面层与所述工艺气体起反应包括在含氧工艺气体中氧化所述间隔件层的所述表面层，并且所述保护层包括所述间隔件层的氧化物。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，使所述间隔件层的所述表面层与所述工艺气体起反应包括在含氮工艺气体中氮化所述间隔件层的所述表面层，并且所述保护层包括所述间隔件层的氮化物。