[发明专利]半导体装置

说明书

本发明公开一种半导体装置，其包括基底、隔离结构、第一栅极结构、第二栅极结构、第一条状接触结构、第一栅极接触结构与第二栅极接触结构。基底包括第一主动区与第二主动区分别沿第一方向延伸。第一栅极结构、第二栅极结构与第一条状接触结构分别沿第二方向延伸。第一栅极接触结构与第二栅极接触结构分别设置于第一条状接触结构于第一方向上的两相对侧，且第一栅极接触结构与第二栅极接触结构于第二方向上设置于第一主动区与第二主动区之间。第一栅极接触结构于第二方向上的长度与第二栅极接触结构于第二方向上的长度小于隔离结构于第二方向上的长度。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置，尤其是涉及一种具有条状接触结构的半导体装置。

背景技术

标准单元是一组或多组的晶体管相互结构，用来提供布林逻辑功能(例如AND、OR、XOR、XNOR)或存储功能(触发器或锁存器)。随着先进制作工艺技术(例如鳍状晶体管FinFet技术)的发展，标准单元布局的设计也有所不同。然而，缩小标准单元的所占面积对于集成电路的整体布局设计或/及电性表现上会有正面帮助，故如何通过标准单元中的布局设计来缩小标准单元所占面积为相关业界所努力的方向之一。

发明内容

本发明提供了一种半导体装置，利用将栅极接触结构与条状接触结构相邻设置，由此达到缩小半导体装置尺寸的效果。

本发明的一实施例提供一种半导体装置，包括一基底、一隔离结构、一第一栅极结构、一第二栅极结构、一第一条状接触结构、一第一栅极接触结构以及一第二栅极接触结构。基底包括一第一主动区与一第二主动区，且第一主动区与第二主动区分别沿一第一方向延伸。隔离结构设置于第一主动区与第二主动区之间。第一栅极结构、第二栅极结构以及第一条状接触结构分别沿一第二方向延伸且设置于第一主动区、第二主动区以及隔离结构上。第一条状接触结构于第一方向上设置于第一栅极结构与第二栅极结构之间。第一栅极接触结构设置于第一栅极结构上且与第一栅极结构电连接。第二栅极接触结构设置于第二栅极结构上且与第二栅极结构电连接。第一栅极接触结构与第二栅极接触结构分别设置于第一条状接触结构于第一方向上的两相对侧，且第一栅极接触结构与第二栅极接触结构于第二方向上设置于第一主动区与第二主动区之间。第一栅极接触结构于第二方向上的长度以及第二栅极接触结构于第二方向上的长度小于隔离结构于第二方向上的长度。

附图说明

图1为本发明第一实施例的半导体装置的上视示意图；

图2为本发明第一实施例的半导体装置的电路示意图；

图3为沿图1中A-A’剖线所绘示的剖视图；

图4为沿图1中B-B’剖线所绘示的剖视图；

图5为沿图1中C-C’剖线所绘示的剖视图；

图6为本发明另一实施例的半导体装置的示意图；

图7为本发明第二实施例的半导体装置的示意图；

图8为本发明第三实施例的半导体装置的上视示意图；

图9为沿图8中D-D’剖线所绘示的剖视图；

图10为沿图8中E-E’剖线所绘示的剖视图；

图11为沿图8中F-F’剖线所绘示的剖视图；

图12为沿图8中G-G’剖线所绘示的剖视图；

图13为本发明第四实施例的半导体装置的示意图；

图14为本发明第五实施例的半导体装置的示意图。

主要元件符号说明

10 基底

21 界面层

22 栅极介电层