[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

基底，包括：

第一主动区，沿第一方向延伸；以及

第二主动区，沿该第一方向延伸；

隔离结构，设置于该第一主动区与该第二主动区之间；

第一栅极结构，沿第二方向延伸且设置于该第一主动区、该第二主动区以及该隔离结构上；

第二栅极结构，沿该第二方向延伸且设置于该第一主动区、该第二主动区以及该隔离结构上；

第一条状接触结构，沿该第二方向延伸且于该第一方向上设置于该第一栅极结构与该第二栅极结构之间，其中该第一条状接触结构设置于该第一主动区、该第二主动区以及该隔离结构上；

第一栅极接触结构，设置于该第一栅极结构上且与该第一栅极结构电连接；以及

第二栅极接触结构，设置于该第二栅极结构上且与该第二栅极结构电连接，其中该第一栅极接触结构与该第二栅极接触结构分别设置于该第一条状接触结构于该第一方向上的两相对侧，且该第一栅极接触结构与该第二栅极接触结构于该第二方向上设置于该第一主动区与该第二主动区之间，其中该第一栅极接触结构于该第二方向上的长度以及该第二栅极接触结构于该第二方向上的长度小于该隔离结构于该第二方向上的长度。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第二方向与该第一方向正交。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一栅极接触结构以及该第二栅极接触结构于该基底的一厚度方向上未与该第一主动区以及该第二主动区重叠。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一栅极接触结构以及该第二栅极接触结构设置于该隔离结构之上，且该第一主动区与该第二主动区之间未设置主动区。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一栅极接触结构于该第二方向上的该长度等于该第一栅极接触结构于该第一方向上的长度，且该第二栅极接触结构于该第二方向上的该长度等于该第二栅极接触结构于该第一方向上的长度。

6.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

介电层，设置于该第一栅极接触结构、该第二栅极接触结构以及该第一条状接触结构上；

第一开口，贯穿该第一栅极接触结构上的该介电层且暴露出该第一栅极接触结构的一部分；

第二开口，贯穿该第二栅极接触结构上的该介电层且暴露出该第二栅极接触结构的一部分；以及

第一导线，设置于该介电层上且沿该第一方向延伸，其中该第一导线的一部分设置于该第一栅极接触结构上，且该第一导线通过该第一开口与该第一栅极接触结构电连接。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中该第一导线的另一部分设置于该第二栅极接触结构上，该第一导线通过该第二开口与该第二栅极接触结构电连接，且该第一栅极结构通过该第一栅极接触结构、该第一导线以及该第二栅极接触结构而与该第二栅极结构电连接。

8.如权利要求6所述的半导体装置，还包括：

第二导线，设置于该介电层上且沿该第一方向延伸，其中该第二导线的一部分设置于该第二栅极接触结构上，且该第二导线通过该第二开口与该第二栅极接触结构电连接。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其中该第一栅极接触结构于该第二方向上的该长度以及该第二栅极接触结构于该第二方向上的该长度小于该第一导线与该第二导线于该第二方向上的节距。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一栅极接触结构与该第一条状接触结构于该第一方向上的距离以及该第二栅极接触结构与该第一条状接触结构于该第一方向上的距离小于或等于12纳米。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其中设置于该第一主动区上的该第一栅极结构以及设置于该第一主动区上的该第二栅极结构包括第一晶体管的栅极，设置于该第二主动区上的该第一栅极结构以及设置于该第二主动区上的该第二栅极结构包括第二晶体管的栅极，且该第一晶体管的该栅极与该第二晶体管的该栅极电连接。