[发明专利]双基板叠层结构及其封装方法在审
| 申请号： | 201910767399.9 | 申请日： | 2019-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN112420526A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 史海涛;林耀剑;刘硕;陈雪晴;陈建;徐晨 | 申请（专利权）人： | 江苏长电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L21/60;H01Q1/22;H01Q1/50 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 苏婷婷 |
| 地址： | 214430 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双基板叠层 结构 及其 封装 方法 | ||
1.一种双基板叠层结构的封装方法，其特征在于，所述方法包括：
S1、提供上基板和下基板；
S2、沿上基板的厚度方向在上基板上开设通孔；
S3、在上基板朝向下基板的一面植入若干个高度相同的支撑件；
S4、结合上基板和下基板，并在上基板上施加压力，以使高度相同的支撑件同时抵接在下基板上，使上基板和下基板之间形成若干空腔；
S5、通过通孔向所述空腔内注入点胶，并在点胶完成后进行烘烤固化，使上基板和下基板相互连接，形成双基板的叠层结构。
2.根据权利要求1所述的双基板叠层结构的封装方法，其特征在于，
步骤S1具体包括：提供的上基板为天线基板；
步骤S2具体包括：沿上基板的厚度方向在上基板的非天线区域开设通孔。
3.根据权利要求1所述的双基板叠层结构的封装方法，其特征在于，步骤S2具体包括：在上基板的中心区域和/四角位置开设通孔。
4.根据权利要求1所述的双基板叠层结构的封装方法，其特征在于，所述支撑件为焊球；
步骤S3具体包括：在上基板朝向下基板的一面植入若干个直径相同的焊球。
5.根据权利要求4所述的双基板叠层结构的封装方法，其特征在于，步骤S4之前，所述方法还包括：在下基板朝向上基板的一侧涂覆导电胶和/或在下基板对应焊球的pad位置涂覆导电胶。
6.根据权利要求1所述的双基板叠层结构的封装方法，其特征在于，步骤S4具体包括：提供一板状制具50；将板状制具50压制于所述上基板远离下基板一侧的面上，以在上基板远离所述下基板的一面施加压力。
7.根据权利要求1所述的双基板叠层结构的封装方法，其特征在于，步骤S5具体包括：若任一通孔对应下基板的位置为pad区域，则通过当前通孔向所述空腔内注入导电胶。
8.一种双基板叠层结构，其特征在于，所述双基板叠层结构包括：
下基板；
与下基板之间形成空腔的上基板，所述上基板沿其厚度方向具有若干个通孔；
形成在所述空腔内的支撑件，所述支撑件固定连接于所述上基板，抵接或连接设置于所述下基板；
设置于所述空腔内的固体胶，所述固体胶对应通孔位置设置，并连接所述上基板和下基板。
9.根据权利要求8所述的双基板叠层结构，其特征在于，
所述上基板为天线基板，所述通孔开设于所述上基板的非天线区域。
10.根据权利要求8所述的双基板叠层结构，其特征在于，
所述支撑件为焊球，所述下基板对应所述焊球位置为pad区域，所述焊球通过导电胶连接于所述pad区域。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
