[发明专利]清洁系统以及清洁方法在审
申请号: | 201910764755.1 | 申请日: | 2019-08-19 |
公开(公告)号: | CN110838434A | 公开(公告)日: | 2020-02-25 |
发明(设计)人: | 施焜雄;陈柏辰;蔡永豊;彭垂亚 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 韩旭;黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 清洁 系统 以及 方法 | ||
本公开一些实施例提供一种清洁系统及清洁方法,该清洁系统包括:基座,配置以固定晶圆;喷嘴,配置以在清洁周期中于设置在基座上的晶圆上沉积清洁溶液;以及接触件,配置以当在晶圆上沉积清洁溶液时将晶圆固定在基座上,接触件的第一子集合配置成在第一时段接触晶圆,且接触件的第二子集合配置成在第二时段接触晶圆。
技术领域
本公开实施例涉及一种清洁系统以及清洁方法。
背景技术
随着电子产品的发展,半导体技术已广泛应用于制造存储器(memory)、中央处理器(central processing units,CPU)、液晶显示器(liquid crystal displays,LCD)、发光二极管(light emission diodes,LED)、激光二极管(laser diodes)和其他装置或芯片组。为了实现高的整合度和高的速度要求,已经降低了半导体集成电路的尺寸,并且已经提出了各种材料和技术来实现这些要求并克服制造期间的障碍。对腔室内的晶圆加工条件进行控制是半导体制造技术的重要部分。
颗粒(particle)是半导体制造技术的其中一个重要问题。制程设备(例如腔室或湿式工作台(wet benches)内的颗粒容易污染在其中进行制程的晶圆。典型的手动式晶圆清洁可能不足以去除颗粒污染。因此,现有的避免颗粒污染的技术并不完全令人满意。
发明内容
本公开一些实施例提供一种清洁系统,包括:基座,配置以固定晶圆;喷嘴,配置以在清洁周期于设置在基座上的晶圆上沉积清洁溶液;以及接触件,配置以当在晶圆上沉积清洁溶液时将晶圆固定在基座上,接触件的第一子集合配置成在第一时段接触晶圆,且接触件的第二子集合配置成在第二时段接触晶圆。
本公开一些实施例提供一种清洁方法,包括:使用沉积在晶圆上的清洁溶液对设置在基座上的晶圆进行清洁;在第一时段使用接触件的第一子集合将晶圆固定在基座上;以及在第二时段使用接触件的第二子集合将晶圆固定在基座上,第二时段与第一时段不同。
本公开一些实施例提供一种清洁方法,包括:在第一时段,将晶圆固定在基座上的接触位置的第一子集合处;在第一时段,沿着接触位置的第二子集合处清洁晶圆;以及在第二时段,将晶圆固定在基座上的接触位置的第一子集合处,第二时段与第一时段不同。
附图说明
以下将配合说明书附图详述本公开的实施例。应注意的是,依据在业界的标准做法,多种特征并未按照比例示出且仅用以说明例示。事实上,可能任意地放大或缩小元件的尺寸,以清楚地表现出本公开的特征。
图1A是根据一些实施例的动态接触件清洁腔室的立体方框图。
图1B是根据一些实施例的动态接触件清洁腔室的侧视图。
图2A是根据一些实施例的在第一时段的第一接触件子集合的立体方框图。
图2B是根据一些实施例的在第二时段的第二接触件子集合的立体方框图。
图3是根据一些实施例的动态接触件清洁腔室的动态接触件清洁腔室功能模块的方框图。
图4是根据一些实施例的动态接触件清洁腔室制程的流程图。
图5是根据一些实施例的使用一系列接触件子集合的下一个接触件子集合来固定晶圆的过程的流程图。
图6A示出根据一些实施例的用第一接触件子集合固定的晶圆。
图6B示出根据一些实施例的在中间时段时,使用所有接触件子集合进行固定的晶圆。
图6C示出根据一些实施例的在中间时段时,利用与第一接触件子集合和第二接触件子集合不同的过渡子集合进行固定的晶圆。
图7示出根据一些实施例的用第一接触件子集合固定的晶圆。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910764755.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:监测系统及监测方法
- 下一篇:扩展四叉树分割的边界处理
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造