[发明专利]复合材料及其制备方法和量子点发光二极管有效
| 申请号： | 201910763104.0 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN112397659B | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H10K50/115 | 分类号： | H10K50/115;H10K50/16;H10K50/80;H10K85/00;H10K71/00 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 张杨梅 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合材料 及其 制备 方法 量子 发光二极管 | ||
1.一种复合材料，应用于量子点发光二极管的电子传输层，其特征在于，包括：金属化合物纳米颗粒和硫酚类化合物；所述硫酚类化合物通过巯基连接所述金属化合物纳米颗粒的表面，且所述巯基与所述金属化合物纳米颗粒的金属原子键合；
所述金属化合物纳米颗粒为金属氧化物和/或金属硫化物；
所述硫酚类化合物的结构式为Ar-SH；
其中，所述Ar为取代的芳香基；
在取代的芳香基中，取代基为供电子基团，所述供电子基团具体为：甲基、乙基或者丙基；
所述金属氧化物包括ZnO、TiO2、SnO2和ZrO2中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述金属化合物纳米颗粒为水溶性纳米材料。
3.根据权利要求1或2所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料中，所述硫酚类化合物和所述金属化合物纳米颗粒的摩尔比为(2-3) : 1。
4.根据权利要求1或2所述的复合材料，其特征在于，所述金属硫化物包括硫化锌和/或硫化铟。
5.一种如权利要求1至4任一项复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供金属化合物纳米颗粒、硫酚类化合物和醇，将所述金属化合物纳米颗粒、所述硫酚类化合物和所述醇混合，进行加热反应，制备前驱体溶液；
将所述前驱体溶液进行固液分离处理，获得所述复合材料；
所述金属化合物纳米颗粒为金属氧化物和/或金属硫化物；
所述硫酚类化合物的结构式为Ar-SH；
其中，所述Ar为取代的芳香基；
在取代的芳香基中，取代基为供电子基团，所述供电子基团具体为：甲基、乙基或者丙基；
所述金属氧化物包括ZnO、TiO2、SnO2和ZrO2中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在制备所述前驱体溶液的步骤中，所述硫酚类化合物和所述金属化合物纳米颗粒的摩尔比为(2-3) : 1；和/或
所述金属化合物纳米颗粒为水溶性纳米材料。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，进行加热反应的步骤中，反应温度为60-80℃，反应时间为2-4小时。
8.根据权利要求5至7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述金属硫化物包括硫化锌和/或硫化铟。
9.一种量子点发光二极管，包括相对设置的阴极和阳极，设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点发光层，以及设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，其特征在于，所述电子传输层的材料包括：权利要求1至4任一项所述的复合材料，或权利要求5至8任一项所述的制备方法制得的复合材料。
10.根据权利要求9所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的厚度为20-60nm。
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