[发明专利]研磨装置

说明书

本发明公开一种研磨装置，包括平台、研磨头以及盖层。该平台承载一工件，该工件具有一研磨面直接接触该平台。该盖层则环绕于该研磨头的外侧，其中，该盖层对位于该工件外侧的侧缘，且该盖层的尺寸大于该研磨头的尺寸。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置，尤其是涉及一种用于化学机械研磨制作工艺(chemical mechanical polishing,CMP)的研磨装置。

背景技术

化学机械研磨是用来平坦化一半导体晶片的集成电路表面，使得在平坦化的表面上可制作多层导线连线，而形成高密度的电路连线。一般而言，化学机械研磨主要被应用在导线的层间介电层(inter-layer dielectric,ILD)、连接插塞(plug)、浅沟隔离(shallowtrench isolation,STI)与镶嵌结构的制作等。

在研磨阶段，待研磨的半导体晶片由圆盘状的一研磨头所固定，并由该研磨头带动该晶片以一固定转轴旋转，由化学或机械方式得以将该半导体晶片表面的部份膜层或材料层研磨加以去除。然而，该半导体晶片上的图案分布或高低落差等因素容易使该半导体晶片于研磨时的均匀度不佳，而影响化学机械研磨的良率与后续制作元件的可靠度，因此如何提升化学机械研磨的良率为平坦化制作工艺中一重要课题。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种研磨装置，其研磨头可整体性地对一半导体晶片均匀施压，以提高该半导体晶片上材料层的研磨均匀度。

为达上述目的，本发明的一优选实施例提供一种研磨装置，其包含一平台、一研磨头以及一盖层。该平台承载一工件，该工件具有一研磨面直接接触该平台。该盖层则环绕于该研磨头的外侧，其中，该盖层对位于该工件外侧的一侧缘，且该盖层的尺寸大于该研磨头的尺寸。

附图说明

图1至图4为本发明第一实施例中研磨装置的示意图，其中：

图1为本发明的研磨装置的机台示意图；

图2为本发明的研磨装置中研磨头的一剖面示意图；

图3为本发明的研磨装置中研磨头的另一示意图；

图4为本发明的研磨装置中晶片的示意图；

图5至图7为本发明第二实施例中研磨装置的示意图，其中：

图5为本发明的研磨装置的机台示意图；

图6为本发明的研磨装置中研磨头的一剖面示意图；

图7为本发明的研磨装置中研磨头的另一示意图；

图8为本发明另一实施例中研磨头的剖面示意图；

图9为本发明另一实施例中研磨头的剖面示意图。

主要元件符号说明

100、300 研磨装置

110、310 转动平台

120、320 研磨垫

130、330 研磨头

131、331 薄膜

133、333 支撑座

135、335 支撑垫

135a、335a 孔洞

137、337 保持环