[发明专利]微型发光元件及微型发光二极管元件基板有效

专利信息
申请号: 201910758883.5 申请日: 2019-08-16
公开(公告)号: CN110491974B 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 吴志凌;苏义闵;陈彦烨 申请(专利权)人: 錼创显示科技股份有限公司
主分类号: H01L33/06 分类号: H01L33/06;H01L33/38;H01L33/48;H01L33/58
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 罗英;臧建明
地址: 中国台湾新竹科学工业*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 微型 发光 元件 发光二极管
【说明书】:

发明提供一种微型发光元件,包括磊晶结构与两电极。磊晶结构具有第一表面、第二表面以及周围表面。第一表面相对于第二表面,且周围表面连接第一表面与第二表面。周围表面包括第一部分与第二部分。第一部分连接第二部分而具有转折点。磊晶结构的宽度由第一表面往转折点逐渐增加,而从转折点往第二表面逐渐减小。两电极设置于磊晶结构上,且两电极与磊晶结构电性连接。一种采用此微型发光元件的微型发光二极管元件基板亦被提出。

技术领域

本发明涉及一种具磊晶结构的发光元件,尤其涉及一种微型发光元件及微型发光二极管元件基板。

背景技术

近年来,在有机发光二极管(Organic light-emitting diode,OLED)显示面板的制造成本偏高及其使用寿命无法与现行的主流显示器相抗衡的情况下,微型发光二极管显示器(Micro LED Display)逐渐吸引各科技大厂的投资目光。除了低耗能及材料使用寿命长的优势外,微型发光二极管显示器还具有优异的光学表现,例如高色彩饱和度、应答速度快及高对比。

在微型发光二极管显示器的制程中,预先制作完成的微型发光二极管元件可通过巨量转移(mass transfer)技术由暂存基板转移至显示器的线路基板上。一般来说,因图案化制程的关系,发光二极管元件的磊晶结构的侧壁会形成一倒角面。而此磊晶结构在转移至线路基板上后,其宽度会随着远离线路基板的方向而渐增。因此,在后续的薄膜(例如导电薄膜或绝缘层)制程中,磊晶结构的此倒角面容易造成破膜或断线的现象,致使后制程的整体良率下降。如何克服上述的问题,已成为相关厂商的重要课题。

发明内容

本发明提供一种微型发光元件,其光萃取效率(light extraction efficiency)较佳。

本发明提供一种微型发光二极管元件基板,其后制程的良率高。

本发明的微型发光元件,包括磊晶结构以及两电极。磊晶结构具有彼此相对的第一表面与第二表面以及连接第一表面与第二表面的周围表面。周围表面包括第一部分与第二部分。第一部分连接第二部分而具有转折点。磊晶结构的宽度由第一表面往转折点逐渐增加,而从转折点往第二表面逐渐减小。两电极设置于磊晶结构上,且与磊晶结构电性连接。

在本发明的一实施例中,上述的微型发光元件的磊晶结构具有虚拟面,且虚拟面平行于第一表面并通过转折点。周围表面的第一部分与虚拟面之间具有夹角,且夹角介于100度至135度之间。

在本发明的一实施例中,上述的微型发光元件的第一表面在一方向上具有第一长度,第二表面在此方向上具有第二长度,且第一长度与第二长度的比值介于0.8至1.2之间。

在本发明的一实施例中,上述的微型发光元件的第二表面至第一表面之间具有第一垂直距离,而第二表面至转折点之间具有第二垂直距离,且第二垂直距离与第一垂直距离的比值介于0.04至0.28之间。

在本发明的一实施例中,上述的微型发光元件的两电极位于磊晶结构的相对两侧,且其中一电极覆盖第二表面与周围表面的第二部分。

在本发明的一实施例中,上述的微型发光元件的磊晶结构还包括第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层。第一型半导体层具有第一表面,第二型半导体层具有第二表面,且转折点位于第二型半导体层。

在本发明的一实施例中,上述的微型发光元件的第二型半导体层具有垂直厚度,而转折点至发光层之间具有垂直距离,而垂直距离与垂直厚度的比值小于1。

本发明的微型发光二极管元件基板,包括载板与多个微型发光元件。微型发光元件设置于载板上,且具有磊晶结构以及两电极。磊晶结构具有彼此相对的第一表面与第二表面以及连接第一表面与第二表面的周围表面。周围表面包括第一部分与第二部分。第一部分连接第二部分而具有转折点。磊晶结构的宽度由第一表面往转折点逐渐增加,而从转折点往第二表面逐渐减小。两电极设置于磊晶结构上,且至少部分与磊晶结构直接接触。

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