[发明专利]微型发光元件及微型发光二极管元件基板有效
| 申请号: | 201910758883.5 | 申请日: | 2019-08-16 |
| 公开(公告)号: | CN110491974B | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
| 发明(设计)人: | 吴志凌;苏义闵;陈彦烨 | 申请(专利权)人: | 錼创显示科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/38;H01L33/48;H01L33/58 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;臧建明 |
| 地址: | 中国台湾新竹科学工业*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 微型 发光 元件 发光二极管 | ||
1.一种微型发光二极管元件基板,包括:
载板;
多个微型发光元件,设置于所述载板上,各所述微型发光元件包括:
磊晶结构,具有彼此相对的第一表面与第二表面以及连接所述第一表面与所述第二表面的周围表面,所述周围表面包括第一部分与第二部分,所述第一部分连接所述第二部分而具有转折点,其中所述磊晶结构的宽度由所述第一表面往所述转折点逐渐增加,而从所述转折点往所述第二表面逐渐减小,所述第二表面至所述第一表面之间具有第一垂直距离,而所述第二表面至所述转折点之间具有第二垂直距离,且所述第二垂直距离与所述第一垂直距离的比值介于0.04至0.28之间,
所述磊晶结构还包括依序设置于所述载板上的第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层,所述第一型半导体层具有所述第一表面,所述第二型半导体层具有所述第二表面,且所述转折点位于所述第二型半导体层;以及
两电极,设置于所述磊晶结构上,且各所述电极的至少部分与所述磊晶结构直接接触;以及
平坦层,覆盖所述多个微型发光元件的多个所述磊晶结构的多个所述周围表面的多个所述第一部分,其中所述磊晶结构的所述转折点切齐所述平坦层的上表面,一所述电极直接接触所述第二表面、所述周围表面的所述第二部分以及所述平坦层,并且电性连接所述第二型半导体层,另一所述电极位于所述磊晶结构与所述载板之间。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管元件基板,其中所述第一表面在方向上具有第一长度,所述第二表面在所述方向上具有第二长度,且所述第一长度与所述第二长度的比值介于0.8至1.2之间。
3.根据权利要求1所述的微型发光二极管元件基板,其中所述磊晶结构具有虚拟面,所述虚拟面平行于所述第一表面并通过所述转折点,所述周围表面的所述第一部分与所述虚拟面之间具有夹角,且所述夹角介于100度至135度之间。
4.根据权利要求1所述的微型发光二极管元件基板,其中所述第二型半导体层具有垂直厚度,而所述转折点至所述发光层之间具有垂直距离,而所述垂直距离与所述垂直厚度的比值小于1。
5.一种微型发光元件,适于设置在载板上,所述载板上还设有平坦层,所述微型发光元件包括:
磊晶结构,具有彼此相对的第一表面与第二表面以及连接所述第一表面与所述第二表面的周围表面,所述周围表面包括第一部分与第二部分,所述第一部分连接所述第二部分而具有转折点,所述平坦层覆盖所述磊晶结构的所述周围表面的所述第一部分,所述磊晶结构的所述转折点切齐所述平坦层的上表面,其中所述磊晶结构的宽度由所述第一表面往所述转折点逐渐增加,而从所述转折点往所述第二表面逐渐减小,
所述第二表面至所述第一表面之间具有第一垂直距离,而所述第二表面至所述转折点之间具有第二垂直距离,且所述第二垂直距离与所述第一垂直距离的比值介于0.04至0.28之间,
所述磊晶结构还包括第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层,所述第一型半导体层具有所述第一表面,所述第二型半导体层具有所述第二表面,且所述转折点位于所述第二型半导体层;以及
两电极,设置于所述磊晶结构上,且所述两电极与所述磊晶结构电性连接,一所述电极直接接触所述第二表面、所述周围表面的所述第二部分以及所述平坦层,并且电性连接所述第二型半导体层,另一所述电极位于所述磊晶结构与所述载板之间。
6.根据权利要求5所述的微型发光元件,其中所述磊晶结构具有虚拟面,所述虚拟面平行于所述第一表面并通过所述转折点,所述周围表面的所述第一部分与所述虚拟面之间具有夹角,且所述夹角介于100度至135度之间。
7.根据权利要求5所述的微型发光元件,其中所述第一表面在方向上具有第一长度,所述第二表面在所述方向上具有第二长度,且所述第一长度与所述第二长度的比值介于0.8至1.2之间。
8.根据权利要求5所述的微型发光元件,其中所述第二型半导体层具有垂直厚度,而所述转折点至所述发光层之间具有垂直距离,而所述垂直距离与所述垂直厚度的比值小于1。
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