[发明专利]一种DFN器件的封装结构、无引线框架载体及DFN器件的封装方法

说明书

本发明一种DFN器件的封装结构，包括一种无引线框架载体，载体表面设有多个第一金属焊盘，第一金属焊盘的表面设有第二金属焊盘，第二金属焊盘表面设有焊料层，焊料层连接芯片下焊盘或者键合线一端，键合线另一端连接芯片上焊盘。载体的表面及第一金属焊盘、第二金属焊盘、焊料层、芯片、键合线的四周，设有第一塑封层，或者载体的表面及第一金属焊盘的四周，设有第二塑封层、第二塑封层表面及第二金属焊盘、焊料层、芯片、键合线的四周，设有第一塑封层。第二金属焊盘的横截面积大于第一金属焊盘的横截面积，或者第二金属焊盘偏出第一金属焊盘一侧。本发明解决了引线框架封装体引脚电极和塑封料在同一平面易虚焊，封装体切割线导致毛刺，框架变形的问题。

技术领域

本发明涉及微电子封装领域，尤其涉及一种DFN器件的封装结构、无引线框架载体及DFN器件的封装方法。

背景技术

DFN封装(也叫双边扁平无引脚封装)，是在近几年随着通讯及便携式小型数码电子产品的产生而发展起来的，适用于高频、小体积、高速度等电性能要求的中小规模集成电路的封装。DFN封装能够有效的利用引线脚的封装空间，从而大幅提升了产品的组装效率并降低了实际的占用面积。

普通的DFN封装，通常包括引线框架、芯片、金属线和塑封料组成。其具体指根据芯片尺寸及电路连通设计框架图形，通过腐蚀工艺完成框架加工，通过设备完成芯片贴装及固化，通过打线完成芯片电极引出后塑封完成整个器件的加工。

但是，针对超小型化的器件，如DFN1006(尺寸1.0mm*0.6mm*0.4mm)、DFN0603(尺寸0.6mm*0.3mm*0.3mm)等，采用现有引线框架的封装结构，存在如下缺陷：

(1)封装体的引脚电极和塑封料在同一个平面，不利于器件的整体焊接，容易产生虚焊等缺陷；

(2)封装体需要切割到键合线部分，导致器件的侧面存在部分金属毛刺，不利于器件的后续加工；

(3)封装体受限于引线框架的生产制程，框架本身的厚度，最薄在125μm左右，框架过薄会存在变形严重，导致合格率低的问题。

鉴于上述存在的问题，实现无引线框架的封装结构加工，成为亟待解决的课题。

发明内容

本发明的发明目的在于解决现有引线框架的封装结构，封装体的引脚电极和塑封料在同一个平面，不利于器件的整体焊接，容易产生虚焊，封装体需要切割到键合线部分，导致器件的侧面存在部分金属毛刺，不利于器件的后续加工，封装体受限于引线框架的生产制程，框架过薄会存在变形严重，导致合格率低，封装体无法实现超小型化的问题。其具体解决方案如下：

一种无引线框架载体，包括载体，所述载体由下部的基材层、中部的可剥层和上部的金属层构成，所述基材层为金属或者无机或者有机材料中的任一种，其厚度范围为0.6mm-2.0mm，所述可剥层为金属或者有机材料中的任一种，其厚度范围为0.1μm-20μm，可剥层位于基材层的表面，所述金属层为铜或者镍或者锡中的任一种，其厚度范围为10μm-30μm，金属层位于可剥层的表面或者位于可剥层表面以及可剥层和基材层的四周。

进一步地，所述基材层为不锈钢或者玻璃或者环氧树脂或者三嗪树脂中的任一种，基材层的材料剥离后，可重复再利用。

一种DFN器件的封装结构，包括上述一种无引线框架载体，所述载体的表面设有多个第一金属焊盘，第一金属焊盘的表面设有第二金属焊盘，第二金属焊盘表面设有焊料层，焊料层连接芯片下焊盘或者键合线的一端，键合线的另一端连接芯片上焊盘。可选1：载体的表面及第一金属焊盘、第二金属焊盘、焊料层、芯片、键合线的四周，设有第一塑封层，或者可选2：载体的表面及第一金属焊盘的四周，设有第二塑封层、第二塑封层表面及第二金属焊盘、焊料层、芯片、键合线的四周，设有第一塑封层。

进一步地，所述封装结构，通过物理方式或者化学方式，将可剥层、基材层与金属层进行剥离。