[发明专利]一种DFN器件的封装结构、无引线框架载体及DFN器件的封装方法在审

专利信息
申请号: 201910758025.0 申请日: 2019-08-16
公开(公告)号: CN110473853A 公开(公告)日: 2019-11-19
发明(设计)人: 张博威 申请(专利权)人: 华宇华源电子科技(深圳)有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/31;H01L21/683;H01L21/48;H01L21/56;H01L21/607
代理公司: 44202 广州三环专利商标代理有限公司 代理人: 叶新平<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 518118 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 金属焊盘 焊料层 键合线 塑封层 芯片 毛刺 引线框架封装 引线框架载体 封装结构 连接芯片 一端连接 引脚电极 载体表面 变形的 封装体 切割线 上焊盘 塑封料 下焊盘 虚焊
【权利要求书】:

1.一种无引线框架载体,包括载体,其特征在于:所述载体由下部的基材层、中部的可剥层和上部的金属层构成,所述基材层为金属或者无机或者有机材料中的任一种,其厚度范围为0.6mm-2.0mm,所述可剥层为金属或者有机材料中的任一种,其厚度范围为0.1μm-20μm,可剥层位于基材层的表面,所述金属层为铜或者镍或者锡中的任一种,其厚度范围为10μm-30μm,金属层位于可剥层的表面或者位于可剥层表面以及可剥层和基材层的四周。

2.根据权利要求1所述一种无引线框架载体,其特征在于:所述基材层为不锈钢或者玻璃或者环氧树脂或者三嗪树脂中的任一种,基材层的材料剥离后,可重复再利用。

3.一种DFN器件的封装结构,包括权利要求2所述一种无引线框架载体,其特征在于:所述载体的表面设有多个第一金属焊盘,第一金属焊盘的表面设有第二金属焊盘,第二金属焊盘表面设有焊料层,焊料层连接芯片下焊盘或者键合线的一端,键合线的另一端连接芯片上焊盘;载体的表面及第一金属焊盘、第二金属焊盘、焊料层、芯片、键合线的四周,设有第一塑封层,或者载体的表面及第一金属焊盘的四周,设有第二塑封层、第二塑封层表面及第二金属焊盘、焊料层、芯片、键合线的四周,设有第一塑封层。

4.根据权利要求3所述一种DFN器件的封装结构,其特征在于:所述封装结构,通过物理方式或者化学方式,将可剥层、基材层与金属层进行剥离。

5.根据权利要求4所述一种DFN器件的封装结构,其特征在于:所述第一金属焊盘为铜或者镍中的任一种,第一金属焊盘厚度范围为30μm-50μm。

6.根据权利要求5所述一种DFN器件的封装结构,其特征在于:所述第二金属焊盘为铜或者镍中的任一种,第二金属焊盘厚度范围为5μm-10μm或者30μm-50μm,第二金属焊盘的横截面积大于第一金属焊盘的横截面积,或者第二金属焊盘偏出第一金属焊盘一侧。

7.根据权利要求6所述一种DFN器件的封装结构,其特征在于:所述焊料层为锡或者铟或者合金中的任一种。

8.根据权利要求7所述一种DFN器件的封装结构,其特征在于:所述键合线为金线或者铜线中的任一种。

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