[发明专利]电子装置有效
申请号: | 201910753917.1 | 申请日: | 2019-08-15 |
公开(公告)号: | CN110896086B | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
发明(设计)人: | 林小郎;蔡宗翰 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/32;H01L33/50 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 侯奇慧 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
一种电子装置,包括一第一电子单元和一第二电子单元。所述第一电子单元发射具有一第一光谱的一第一光线。所述第一光谱的主波峰对应到一第一波长,其中,所述第一波长的范围为461纳米至473纳米。所述第二电子单元发射具有一第二光谱的一第二光线,其中,所述第二光谱与所述第一光谱不同。所述第二光谱的子波峰对应到一第二波长,其中,所述第二波长的范围为300纳米至460纳米。所述第一波长与所述第二波长之间的差距大于或等于5纳米。
技术领域
本发明涉及一种电子装置,特别是涉及一种包括光转换层的电子装置。
背景技术
显示设备可整合到电子装置中。色域所参考的是国家电视系统委员会(NationalTelevision System Committee,NTSC)色域。Rec.2020色域为应用到电子装置(例如显示设备)的一种色域。为了提高显示质量,如何提供更纯的色光(例如红色、绿色或蓝色)以符合广色域应用中Rec.2020的需求对制造商来说是很重要的议题。
发明内容
在一些实施例中,一种电子装置包括一第一电子单元和一第二电子单元。第一电子单元发射具有一第一光谱的一第一光线,且第一光谱的一主波峰对应到范围为461纳米至473纳米的一第一波长。第二电子单元发射具有一第二光谱的一第二光线,其中第二光谱与第一光谱不同,第二光谱的一子波峰对应到范围为300纳米至460纳米的一第二波长,且第一波长与第二波长之间的差距大于或等于5纳米。
附图说明
图1为本发明第一实施例的电子装置的示意图。
图2为第一实施例的输入光的输入光谱的示意图。
图3为第一实施例的输出光的输出光谱的示意图。
图4为本发明第二实施例的输出光的输出光谱的示意图。
图5为本发明第三实施例的电子装置的示意图。
图6为本发明第四实施例的电子装置的示意图。
图7为本发明第五实施例的电子装置的示意图。
图8为本发明第六实施例的电子装置的示意图。
图9为本发明第七实施例的电子装置的剖视示意图。
图10为本发明第八实施例的发光元件的剖视示意图。
图11为本发明第九实施例的电子装置的剖视示意图。
附图标记说明:101-主动层;103-闸极;105a-源极;105b-汲极;AM-主动矩阵层;CGL-电荷产生层;CL2、CL3-光线;DP-显示设备;ED-电子装置;EIL2、EIL1、EIL-电子注入层;EL1-第一电极;EL2-第二电极;ETL2、ETL1-电子传输层;EU1-第一电子单元;EU2-第二电子单元;EU3-第三电子单元;HIL2、HIL1、HIL-电洞注入层;HTL2、HTL1、HTL-电洞传输层;IL1-第三光线;IL2-第四光线;IL3-第五光线;IS1-第三光谱;IS2-第四光谱;IW1-第三波长;IW2-第四波长;LC-液晶层;LCL1-第一光转换层;LCL2-第二光转换层;LCL3-第三光转换层;LEL11、LEL12、LEL21、LEL22、LEL31、LEL32、LEL1、LEL2、LEL3-发光层;LU-共同发光元件;LU1-第一发光元件;LU2-第二发光元件;LU3-第三发光元件;MW1、MW2-主波;OL1-第一光线;OL2-第二光线;OL3-第六光线;OS1-第一光谱;OS2-第二光谱;OS3-第六光谱;OW1-第一波长;OW21-第二波长;OW22、OW31-波长;OW32-第六波长;PDL-像素定义层;PL-保护层;QD2、QD3、QD1-量子点;SL-防护层;SU-基板;SW1、SW2-子波;Tr-晶体管;V-基板的法线方向。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的