[发明专利]电子装置有效
申请号: | 201910753917.1 | 申请日: | 2019-08-15 |
公开(公告)号: | CN110896086B | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
发明(设计)人: | 林小郎;蔡宗翰 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/32;H01L33/50 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 侯奇慧 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
1.一种电子装置,其特征在于,包括:
一第一电子单元,发射具有一第一光谱的一第一光线,所述第一光谱的一主波峰对应到一第一波长,且所述第一波长是在461纳米至473纳米的范围内;以及
一第二电子单元,发射具有一第二光谱的一第二光线,所述第二光谱与所述第一光谱不同,所述第二光谱的一子波峰对应到一第二波长,且其中,所述第二波长是在300纳米至460纳米的范围内;
其中,所述第一波长与所述第二波长之间的一差距大于或等于5纳米。
2.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一波长与所述第二波长之间的所述差距小于或等于167纳米。
3.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述子波峰的波峰强度对所述主波峰的波峰强度的比值范围为0.06%至10.0%。
4.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一电子单元包括一第一发光元件,所述第二电子单元包括一第二发光元件,所述第一发光元件发射具有一第三光谱的一第三光线,所述第三光谱的一主波峰对应到一第三波长,所述第二发光元件发射具有一第四光谱的一第四光线,且所述第四光谱的一主波峰对应到一第四波长,其中所述第三波长与所述第四波长不同。
5.根据权利要求4所述的电子装置,其特征在于,所述第三波长大于所述第四波长。
6.根据权利要求4所述的电子装置,其特征在于,所述第三波长是在461纳米至473纳米的范围内,且所述第四波长是在440纳米到460纳米的范围内。
7.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一电子单元包括一第一发光元件,所述第二电子单元包括一第二发光元件,所述第一发光元件发射具有一第三光谱的一第三光线,所述第三光谱的一主波峰对应到一第三波长,所述第二发光元件发射具有一第四光谱的一第四光线,且所述第四光谱的一主波峰对应到一第四波长,其中,所述第三波长与所述第四波长相同。
8.根据权利要求7所述的电子装置,其特征在于,所述第三波长与所述第四波长是在440纳米至460纳米的范围内。
9.根据权利要求7所述的电子装置,其特征在于,所述第三波长与所述第四波长是在461纳米至473纳米的范围内。
10.根据权利要求7所述的电子装置,其特征在于,所述第三波长与所述第四波长是在300纳米至450纳米的范围内。
11.根据权利要求7所述的电子装置,其特征在于,所述第一电子单元包括一第一光转换层,设置在所述第一发光元件上,且所述第一光转换层包括多个量子点、一荧光材料、一磷光材料、一彩色滤光层或上述材料的组合。
12.根据权利要求7所述的电子装置,其特征在于,所述第一发光元件与所述第二发光元件接触。
13.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一电子单元包括一第一发光元件,所述第二电子单元包括一第二发光元件,
其中所述第一发光元件或所述第二发光元件包括两层发光层、一电洞注入层和两层电洞传输层,所述电洞注入层设置在所述两层发光层之间,所述两层电洞传输层的其中一层设置在所述两层发光层的其中一层与所述电洞注入层之间,且所述两层电洞传输层的另一层设置在所述两层发光层的另一层与所述电洞注入层之间。
14.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,还包括一第三电子单元,所述第三电子单元发射具有一第六光谱的一第六光线,所述第六光谱与所述第一光谱不同,所述第六光谱的一子波峰对应到一第六波长,且其中所述第六波长是在300纳米至460纳米的范围内,其中所述第一波长与所述第六波长之间的一差距大于或等于5纳米,且所述第一光线为蓝光,且所述第六光线为红光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的